Giới thiệu
IGBT G80N60UFD là một loại transistor lưỡng cực cổng cách ly (Insulated Gate Bipolar Transistor) có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao, phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.
Sơ đồ cấu tạo
Kích thước
Thông số kỹ thuật chính:
- Dòng điện cực thu (Collector Current – Ic): 80A, cho phép thiết bị xử lý các tải lớn, thích hợp cho các hệ thống công nghiệp nặng.
- Điện áp cực thu – cực phát (Collector-Emitter Voltage – Vce): 600V, đủ để hoạt động trong các hệ thống điện áp cao.
- Điện áp cổng-ngưỡng (Gate Threshold Voltage – Vge(th)): Khoảng 3-5V, xác định điện áp cần thiết để bật IGBT.
- Điện áp đánh thủng (Breakdown Voltage – V(BR)CES): 600V, mức điện áp cực đại mà IGBT có thể chịu được mà không bị hỏng.
- Điện trở nhiệt (Thermal Resistance – Rth(j-c)): Được tối ưu hóa để giảm nhiệt độ hoạt động, giúp tăng cường độ bền và tuổi thọ của thiết bị.
Hiệu suất
- Khả năng chuyển mạch nhanh: G80N60UFD có thời gian chuyển mạch nhanh, giảm thiểu tổn thất năng lượng và nhiệt độ, giúp thiết bị hoạt động hiệu quả hơn.
- Tổn hao thấp: Thiết bị được thiết kế để giảm thiểu tổn thất dẫn điện và tổn thất chuyển mạch, tăng cường hiệu suất tổng thể của hệ thống.
Ứng dụng
- Biến tần (Inverters): Sử dụng trong các biến tần để chuyển đổi điện áp và dòng điện, đặc biệt trong các hệ thống công suất lớn.
- Bộ điều khiển động cơ: Được sử dụng rộng rãi trong các bộ điều khiển động cơ công nghiệp, nơi yêu cầu dòng điện và điện áp lớn.
- Nguồn xung (Switch Mode Power Supplies – SMPS): G80N60UFD thích hợp cho các nguồn xung với yêu cầu xử lý công suất cao và hiệu quả năng lượng tốt.
- Thiết bị điện tử công suất: Được sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh và dòng điện lớn, như các bộ nguồn DC-DC, bộ chỉnh lưu, và các hệ thống cung cấp năng lượng.
Đóng gói
- Kiểu đóng gói: TO-247, là kiểu đóng gói chuẩn cho các thiết bị bán dẫn công suất cao, giúp dễ dàng lắp đặt và tản nhiệt hiệu quả. Kiểu đóng gói này cung cấp kết nối chắc chắn và đảm bảo khả năng truyền tải dòng điện lớn.
Lợi ích và Tính năng
- Khả năng chịu đựng dòng điện cao: Với khả năng xử lý dòng điện lên đến 80A, G80N60UFD là sự lựa chọn tối ưu cho các hệ thống yêu cầu tải lớn.
- Khả năng chịu đựng điện áp cao: Điện áp 600V giúp thiết bị hoạt động ổn định trong các môi trường điện áp cao.
- Tính năng chuyển mạch nhanh: Giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Độ tin cậy cao: Thiết bị được thiết kế để hoạt động bền bỉ trong các môi trường khắc nghiệt, đáp ứng các yêu cầu khắt khe của các ứng dụng công nghiệp.
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.