Giới thiệu về H30R1602
H30R1602 là một MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) công suất cao, loại N-channel, thường được sử dụng trong các ứng dụng đòi hỏi khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao. MOSFET là một loại transistor có khả năng chuyển mạch nhanh và điều khiển tốt các mạch công suất, được ứng dụng rộng rãi trong các hệ thống điều khiển điện tử và công nghiệp.
Đặc điểm nổi bật H30R1602
- Công suất cao: MOSFET này có khả năng xử lý dòng điện và điện áp lớn, phù hợp cho các hệ thống công suất cao.
- Chuyển mạch nhanh: Với khả năng chuyển mạch nhanh, H30R1602 có thể giảm thiểu tổn thất điện năng trong quá trình hoạt động.
- Điện trở rẽ thấp (R<sub>DS(on)</sub>): Một trong những ưu điểm của H30R1602 là điện trở rẽ thấp, giúp giảm tổn thất nhiệt và tăng cường hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Điện áp ngưỡng cổng thấp: Thiết bị này có ngưỡng điện áp cổng thấp, giúp kích hoạt dễ dàng hơn và tối ưu hóa quá trình điều khiển.
Thông số kỹ thuật H30R1602
- Điện áp chịu đựng cực – nguồn (V<sub>DSS</sub>): 1600V
- Dòng điện cực thoát tối đa (I<sub>D</sub>): 30A
- Điện trở rẽ (R<sub>DS(on)</sub>): 1.1Ω (ở V<sub>GS</sub> = 10V)
- Điện áp cổng-ngưỡng (V<sub>GS(th)</sub>): 4.0V – 6.0V
- Nhiệt độ hoạt động tối đa (T<sub>j</sub>): 150°C
Ứng dụng H30R1602
- Biến tần công nghiệp: Được sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển và chuyển đổi năng lượng trong các môi trường công nghiệp.
- Bộ cấp nguồn chuyển mạch (SMPS): Dùng trong các hệ thống nguồn cung cấp để tối ưu hóa quá trình chuyển đổi điện năng.
- Điều khiển động cơ: Ứng dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất cao, chẳng hạn như các thiết bị sản xuất hoặc hệ thống tự động hóa.
- Ứng dụng năng lượng tái tạo: Sử dụng trong các bộ chuyển đổi năng lượng từ các nguồn năng lượng tái tạo như điện gió và điện mặt trời.
Sơ đồ chân H30R1602
Kích thước H30R1602
Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác
Chưa có đánh giá nào.