Đặc trưng của IGBT H30R1602
– Diode thân nguyên khối mạnh mẽ với điện áp chuyển tiếp rất thấp.
– Thân diode kẹp điện áp âm.
– Công nghệ Trench và Fieldstop cho các ứng dụng 1600 V cung cấp:
+Phân phối tham số rất chặt chẽ
+Độ chắc chắn cao, hoạt động ổn định nhiệt độ.
– Công nghệ NPT cung cấp khả năng chuyển đổi song song dễ dàng do hệ số nhiệt độ dương tính bằng VCE (sat).
– EMI thấp.
– Đủ tiêu chuẩn theo JEDEC1 cho các ứng dụng mục tiêu.
– Mạ chì không chứa pb; Tuân thủ RoHS.
Ứng dụng của IGBT H30R1602
– Bếp từ.
– Ứng dụng chuyển mạch mềm.
Cấu tạo của IGBT H30R1602
Kích thước của IGBT H30R1602
Chưa có đánh giá nào.