Giới thiệu 7MBR75VR120-50
7MBR75VR120-50 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) của Fujitsu. Đây là một loại bán dẫn được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng điều khiển công suất cao và chuyển mạch. Mô-đun IGBT thường được dùng trong các ứng dụng như biến tần, điều khiển động cơ, và các hệ thống cung cấp năng lượng công suất lớn.
Thông số Kỹ thuật Chính của 7MBR75VR120-50
- Loại: Mô-đun IGBT
- Điện áp cực đại (Vce): 1200V
- Dòng cực đại (Ic): 75A (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
- Điện trở khi bật (Rce(on)): Thấp (tùy thuộc vào điều kiện nhiệt độ và dòng điện)
- Công suất tỏa nhiệt tối đa (Ptot): Khoảng 150W (tại điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường 25°C)
- Nhiệt độ hoạt động: Từ -40°C đến +150°C
Đặc điểm 7MBR75VR120-50
- Điện áp cực đại cao: Có khả năng chịu đựng điện áp lên tới 1200V, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
- Dòng điện cao: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 75A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
- Hiệu suất chuyển mạch tốt: Được thiết kế để chuyển mạch hiệu quả trong các hệ thống điều khiển công suất.
Ứng dụng 7MBR75VR120-50
- Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và công suất của động cơ điện.
- Điều khiển động cơ: Được dùng trong các bộ điều khiển động cơ để chuyển mạch và điều khiển dòng điện lớn.
- Hệ thống cung cấp năng lượng: Thích hợp cho các ứng dụng cung cấp năng lượng công suất lớn trong các hệ thống điện tử công nghiệp.
Kích thước 7MBR75VR120-50
Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.