TGAN40N120FDR 40N120 40N120FDR 40N120F2DW IGBT 40A 1200V TO-3PN

Giới thiệu TGAN40N120FDR

TGAN40N120FDR là một transistor công suất GaN (Gallium Nitride), được thiết kế để hoạt động ở các tần số cao và có khả năng xử lý công suất lớn với hiệu suất rất cao. Đặc điểm này làm cho TGAN40N120FDR trở thành sự lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt là trong các bộ nguồn, bộ chuyển đổi DC-DC, mạch truyền tải năng lượng, và các hệ thống điện tử công suất.

Đặc trưng

– Công nghệ rãnh dừng trường 1200V.

– Chuyển mạch tốc độ cao.

– Suy hao dẫn điện thấp.

– Hệ số nhiệt độ dương.

– Hoạt động song song dễ dàng.

– Thời gian chịu đựng ngắn mạch 5μs.

– Tuân thủ RoHS.

– Chứng chỉ JEDEC.

Ứng dụng

• Bộ chuyển đổi DC-DC:
  • Sử dụng trong các bộ chuyển đổi điện áp với tần số cao để chuyển đổi năng lượng với hiệu suất tối đa và giảm thiểu sự mất mát năng lượng.
• Nguồn điện công nghiệp và nguồn điện lưới:
  • TGAN40N120FDR được sử dụng trong các bộ nguồn công nghiệp và các bộ nguồn cho hệ thống điện lưới với hiệu suất chuyển đổi cao và độ tin cậy cao.
• Biến tần và hệ thống điện tử công suất:
  • Các mạch biến tần và các ứng dụng điện tử công suất yêu cầu hiệu suất chuyển mạch cao và khả năng làm việc ở điện áp lớn.
• Hệ thống năng lượng tái tạo:
  • Ứng dụng trong các bộ biến tần cho năng lượng mặt trời hoặc các hệ thống năng lượng tái tạo khác.
• Ứng dụng trong thiết bị điện tử tiêu dùng và công nghiệp:
  • Được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất lớn như máy tính công nghiệp, thiết bị viễn thông, và các thiết bị gia dụng công suất cao.

Cấu tạo TGAN40N120FDR

Kích thước TGAN40N120FDR

Bảng thông số TGAN40N120FDR

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet TGAN40N120FDR