Giới thiệu PS21767
PS21767 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Powerex sản xuất. Mô-đun IGBT này thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao như biến tần, điều khiển động cơ, và các hệ thống cung cấp năng lượng công nghiệp
Thông số Kỹ thuật Chính của PS21767
- Loại: Mô-đun IGBT
- Điện áp cực đại (Vce): 1200V
- Dòng cực đại (Ic): 10A
- Điện trở khi bật (Rce(on)): Khoảng 1.5Ω (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
- Công suất tỏa nhiệt tối đa (Ptot): Khoảng 35W (tại điều kiện làm mát tốt và nhiệt độ môi trường 25°C)
- Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C
Đặc điểm PS21767
- Điện áp cực đại: Với khả năng chịu đựng điện áp lên tới 1200V, PS21767 phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao hơn.
- Dòng điện: Có khả năng xử lý dòng điện tối đa 10A, thích hợp cho các ứng dụng công suất vừa và cao.
- Điện trở khi bật: Điện trở khi bật cao hơn so với một số mô-đun IGBT khác, ảnh hưởng đến hiệu suất chuyển mạch và tổn thất năng lượng.
Ứng dụng PS21767
-
- Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và công suất của động cơ, phù hợp với các ứng dụng công suất cao.
- Điều khiển động cơ: Được dùng trong các bộ điều khiển động cơ để xử lý dòng điện lớn và điều chỉnh hiệu suất hoạt động.
- Hệ thống cung cấp năng lượng: Thích hợp cho các ứng dụng cung cấp năng lượng trong các hệ thống công nghiệp và thiết bị công suất cao yêu cầu điện áp cao.
Sơ đồ cấu tạo PS21767
Sơ đồ mạch ứng dụng PS21767
Kích thước PS21767
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.