Giới thiệu về STPSC20H065CWY
STPSC20H065CWY là một diode Schottky silicon carbide (SiC) thuộc dòng sản phẩm của STMicroelectronics. Loại diode này được thiết kế đặc biệt để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, tổn thất năng lượng thấp và khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao.
Đặc điểm nổi bật
- Công nghệ Silicon Carbide (SiC):
- Sử dụng vật liệu SiC mang lại hiệu suất chuyển mạch vượt trội, giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất tổng thể.
- Tổn thất nghịch lưu cực thấp:
- Do đặc tính của Schottky diode, tổn thất khi hoạt động ở trạng thái ngược rất thấp, giúp giảm nhiệt lượng tỏa ra.
- Điện dung ngược thấp:
- Điện dung ngược thấp giúp tối ưu hóa hiệu suất trong các ứng dụng tần số cao.
- Khả năng chịu nhiệt cao:
- Có thể hoạt động ở nhiệt độ mối nối lên đến 175°C, lý tưởng cho các ứng dụng khắc nghiệt.
- Đặc tính chuyển mạch nhanh:
- Thời gian phục hồi ngắn (gần như không có dòng phục hồi), giúp giảm nhiễu điện từ (EMI) và tăng hiệu suất chuyển mạch.
- Vỏ TO-247-3L:
- Đóng gói TO-247-3L tiêu chuẩn, dễ dàng lắp đặt và sử dụng trong các thiết kế mạch công suất cao.
Thông số kỹ thuật STPSC20H065CWY
Ứng dụng
- Biến tần (Inverters):
- Sử dụng trong các hệ thống biến tần công suất cao như hệ thống năng lượng mặt trời, UPS, và bộ lưu trữ năng lượng.
- Nguồn cung cấp chuyển mạch (SMPS):
- Hoạt động hiệu quả trong các bộ nguồn chuyển mạch yêu cầu tần số cao và tổn thất thấp.
- Hệ thống năng lượng tái tạo:
- Ứng dụng trong các hệ thống điện mặt trời và điện gió để cải thiện hiệu quả chuyển đổi năng lượng.
- Bộ sạc xe điện (EV chargers):
- Được sử dụng trong bộ sạc xe điện để tối ưu hóa hiệu suất và độ bền.
- Ứng dụng công nghiệp và ô tô:
- Các mạch chỉnh lưu, lọc trong hệ thống công nghiệp và điện tử ô tô.
Sơ đồ chân STPSC20H065CWY
Kích thước STPSC20H065CWY
Xem thêm những sản phẩm Diode khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.