Giới thiệu SCT2H12NZ
SCT2H12NZ là một MOSFET N-channel được sản xuất bởi ROHM Semiconductor. MOSFET này có khả năng chịu đựng điện áp lên đến 1200V và dòng tối đa 2A, phù hợp với các ứng dụng công suất cao, yêu cầu chuyển mạch nhanh và hiệu suất cao. Với công nghệ MOSFET SiC (Silicon Carbide), SCT2H12NZ có khả năng hoạt động ở tần số cao và chịu nhiệt tốt, làm cho nó trở thành một lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng nguồn điện, biến tần, và các hệ thống năng lượng tái tạo.
Đặc trưng kỹ thuật
- Sức đề kháng thấp
- Tốc độ chuyển đổi nhanh
- Khoảng cách đường dây dài
- Lái xe đơn giản
- Mạ chì không chứa Pb; Tuân thủ RoHS
Thông số kỹ thuật


Đặc tính điện từ

Sơ đồ chân


Ứng dụng


Kích thước SCT2H12NZ

Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.