IXGQ90N33TCD1 IGBT 330V 90A TO-3P THÁO MÁY CHÂN NGẮN

GIỚI THIỆU CHUNG IXGQ90N33TCD1:

IXGQ90N33TCD1 là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N, được sản xuất bởi IXYS (nay là Littelfuse). Đây là một linh kiện công suất được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, đặc biệt thường được sử dụng trong các mạch điều khiển màn hình Plasma (PDP).

Đặc điểm chính:

• Loại linh kiện: IGBT kênh N, công nghệ Trench Gate
• Điện áp Collector-Emitter tối đa (VCES​): 330V
• Dòng điện Collector liên tục (IC​) ở 25°C: 90A (Lưu ý rằng dòng điện định mức sẽ giảm ở nhiệt độ cao hơn)
• Dòng điện Collector xung (ICP​): 360A (trong thời gian ngắn)
• Điện áp bão hòa Collector-Emitter (VCE(sat)​): Thường rất thấp, khoảng 1.8V ở VGE​=15V và IC​=45A, giúp giảm tổn thất dẫn điện.
• Công suất tiêu tán (PC​) ở 25°C: 200W
• Điện áp Gate-Emitter tối đa (VGES​): ±20V
• Điện tích cổng (Qg): Khoảng 69 nC
• Thời gian chuyển mạch: Được thiết kế để chuyển mạch nhanh, với thời gian bật và tắt ngắn, phù hợp cho các ứng dụng tần số cao.
• Kiểu chân: TO-3P (hay còn gọi là TO-247AD hoặc TO-3PL ở một số tài liệu), là kiểu chân cắm với 3 chân, được thiết kế để tản nhiệt hiệu quả.

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA IGBT (Tổng Quan)

• Kết hợp đặc tính điều khiển bằng điện áp của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn, điện áp bão hòa thấp của BJT.
• Điều khiển dòng điện Collector-Emitter (IC​) thông qua điện áp Gate-Emitter (VGE​).
• Khi VGE​ vượt quá điện áp ngưỡng (VGE(th)​), IGBT bắt đầu dẫn điện.
• Dòng điện IC​ tăng theo VGE​ và điện áp Collector-Emitter (VCE​).
• Có điện áp bão hòa VCE(sat)​ khi IGBT dẫn điện.

SƠ ĐỒ CHÂN IXGQ90N33TCD1

CHỨC NĂNG CỦA IXGQ90N33TCD1 IGBT KÊNH N 330V 90A

• Chuyển mạch (Switching) tốc độ cao:
  • Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lớn (lên đến 90A) và điện áp trung bình (330V).
  • Đặc biệt tối ưu cho các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.
• Điều khiển dòng điện:
  • Điều khiển chính xác dòng điện trong các ứng dụng đòi hỏi độ tuyến tính và tốc độ cao.
• Tạo xung:
  • Tạo ra các xung điện với thời gian lên xuống nhanh trong các mạch điều khiển.

THÔNG SỐ KĨ THUẬT IXGQ90N33TCD1:

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IXGQ90N33TCD1 IGBT KÊNH N 330V 90A TO-3P

• Mạch điều khiển màn hình Plasma (PDP).
• Các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao khác.
• Mạch инвертор tần số cao.
• Bộ nguồn xung (SMPS) tần số cao.

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IXGQ90N33TCD1 IGBT KÊNH N 330V 90A TO-3P

• Tham khảo Datasheet:
  • Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của IXYS (Littelfuse) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
• Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
  • IGBT nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
• Điều khiển Gate:
  • Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp. Lưu ý đến điện tích cổng (Qg) khi thiết kế mạch driver.
• Tản nhiệt:
  • Gắn IGBT vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Kiểu chân TO-3P cần được lắp đặt cẩn thận để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
• Không vượt quá định mức:
  • Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet. Đặc biệt lưu ý đến giới hạn dòng điện ở các nhiệt độ khác nhau.
• Điện áp điều khiển Gate:
  • Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường khoảng 15V để đạt hiệu suất tốt nhất, và không vượt quá ±20V).
• Bảo vệ mạch:
  • Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ IGBT và các linh kiện khác trong mạch.
• Tối ưu hóa chuyển mạch:
  • Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tần số cao như PDP. Lưu ý đến thời gian bật/tắt và các thông số liên quan.
• Ứng dụng đặc thù:
  • Do được tối ưu hóa cho mạch điều khiển PDP, cần xem xét kỹ các yêu cầu của ứng dụng khác để đảm bảo IGBT hoạt động hiệu quả và an toàn.

KÍCH THƯỚC IXGQ90N33TCD1:

Xem thêm sản phẩm IGBT tại đây 

DATASHEET IXGQ90N33TCD1: