Giới thiệu 20N120B
20N120B là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng công suất cao và yêu cầu hiệu suất chuyển mạch tốt. IGBT này kết hợp các đặc tính của MOSFET (chuyển mạch nhanh) và BJT (khả năng dẫn dòng lớn), làm cho nó trở thành một linh kiện quan trọng trong nhiều hệ thống điện tử công suất.
Thông số kỹ thuật chính của 20N120B
- Điện áp cực thu – cực phát (Vce): 1200V
- Dòng điện cực thu (Ic): 20A
- Điện áp cổng – cực phát (Vge): ±20V
- Điện áp ngưỡng cổng (Vge(th)): Khoảng 4.5V đến 6V
- Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
- Điện trở nhiệt (RθJC): Thấp, giúp tản nhiệt hiệu quả hơn.
- Thời gian bật/tắt (Turn-On/Off Time): Nhanh, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch nhanh.
Cấu trúc và đặc điểm
- Công nghệ kênh N: 20N120B sử dụng cấu trúc kênh N, giúp cải thiện hiệu suất dẫn điện và giảm thiểu tổn thất trong quá trình hoạt động.
- Diode chống ngược tích hợp: Được tích hợp sẵn một diode chống ngược, bảo vệ thiết bị khỏi các điện áp ngược có thể gây hư hỏng và hỗ trợ trong các mạch điện có cuộn cảm.
- Hiệu suất chuyển mạch: Được thiết kế để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, giúp tăng cường hiệu suất tổng thể của hệ thống điện tử công suất.
Ứng dụng của 20N120B
- Biến tần (Inverters): Được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống biến tần công nghiệp và năng lượng tái tạo, chẳng hạn như biến tần cho hệ thống năng lượng mặt trời, nơi cần chuyển đổi dòng điện DC sang AC.
- Điều khiển động cơ: Sử dụng trong các bộ điều khiển động cơ, nơi cần điều chỉnh tốc độ và mô-men xoắn của động cơ điện một cách chính xác.
- Nguồn cung cấp điện công nghiệp: Phù hợp với các bộ nguồn chuyển mạch (SMPS) công suất cao, giúp chuyển đổi và điều chỉnh điện áp với hiệu suất cao.
- Hệ thống điều khiển công suất: Sử dụng trong các mạch điều khiển công suất cao, như trong các thiết bị hàn, điều khiển nhiệt và các ứng dụng công nghiệp khác.
Nguyên lý hoạt động
IGBT 20N120B hoạt động dựa trên nguyên lý điều khiển dòng điện lớn thông qua điện áp cổng. Nguyên lý này giúp IGBT hoạt động hiệu quả trong việc chuyển mạch dòng điện lớn và duy trì điện áp ổn định trong các hệ thống công suất cao.
- Trạng thái tắt (OFF):
- Khi điện áp cổng (Vge) thấp hơn ngưỡng (thường là khoảng 4.5V đến 6V), IGBT ở trạng thái tắt, không cho phép dòng điện chảy qua từ cực thu (Collector) đến cực phát (Emitter).
- Trong trạng thái này, IGBT chặn dòng điện chính, chỉ có một dòng điện rò rất nhỏ chạy qua.
- Trạng thái bật (ON):
- Khi điện áp cổng vượt qua ngưỡng, IGBT chuyển sang trạng thái bật, cho phép dòng điện lớn chạy qua từ Collector đến Emitter.
- Dòng điện này được điều khiển bởi điện áp cổng, cho phép kiểm soát chính xác dòng điện với mức điện áp điều khiển thấp.
- Chuyển mạch:
- Bật (Turn-On): Khi điện áp cổng đạt đến giá trị đủ lớn, kênh dẫn mở ra, cho phép dòng điện chạy qua. Thời gian bật của IGBT rất ngắn, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.
- Tắt (Turn-Off): Khi điện áp cổng giảm xuống dưới ngưỡng, kênh dẫn đóng lại và dòng điện bị ngắt. Thời gian tắt cũng rất ngắn, giúp ngăn chặn tổn thất năng lượng và tăng hiệu quả hoạt động.
- Diode chống ngược tích hợp:
- Diode chống ngược trong 20N120B giúp bảo vệ IGBT khỏi các điện áp ngược có thể gây hỏng hóc, đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng có chứa cuộn cảm.
Ưu điểm của 20N120B
- Khả năng chịu điện áp cao: Với điện áp tối đa 1200V, 20N120B phù hợp với các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
- Hiệu suất chuyển mạch cao: Thời gian bật/tắt ngắn, giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Độ tin cậy cao: Được thiết kế để hoạt động trong các điều kiện khắc nghiệt với độ bền cao, 20N120B là lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công nghiệp yêu cầu sự ổn định và tin cậy.
Lưu ý khi sử dụng 20N120B
- Tản nhiệt: Vì 20N120B có thể hoạt động với dòng điện lớn, việc quản lý nhiệt độ là rất quan trọng. Hệ thống tản nhiệt phải được thiết kế cẩn thận để duy trì nhiệt độ hoạt động an toàn cho IGBT.
- Điều khiển cổng: Điều khiển cổng cần được thực hiện chính xác để đảm bảo hiệu suất tối đa và tránh làm hỏng thiết bị. Điện áp cổng phải được duy trì trong giới hạn cho phép.
Cấu tạo 20N120B
Kích thước 20N120B
Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.