IR2117 IC điều khiển DIP8

Giới thiệu IR2117

IR2117 là thiết bị điện áp cao, tốc độ cao cấp nguồn cho trình điều khiển MOSFET và IGBT. HVIC độc quyền và Công nghệ CMOS miễn dịch chốt cho phép bền chắc xây dựng nguyên khối. Đầu vào logic tương thích với đầu ra CMOS tiêu chuẩn. Trình điều khiển đầu ra tạo ra một tầng đệm dòng xung cao được thiết kế cho dẫn truyền chéo tối thiểu. Kênh nổi có thể được sử dụng để điều khiển MOSFET nguồn N kênh hoặc IGBT ở cấu hình phía cao hoặc thấp hoạt động lên đến 600V.

Mô tả IR2117

• Kênh nổi được thiết kế cho hoạt động khởi động Hoạt động hoàn toàn ở mức +600V Chịu được điện áp quá độ âm miễn dịch dV/dt
• Phạm vi cung cấp ổ đĩa cổng từ 10 đến 20V
• Khóa giảm áp
• Đầu vào kích hoạt CMOS Schmitt bằng cách kéo xuống
• Đầu ra cùng pha với đầu vào (IR2117)
• Cũng có sẵn KHÔNG CHÌ

Sơ đồ chân IR2117

Thông số kỹ thuật IC IR2117

Mạch ứng dụng của IC IR2117

Kích thước của IC IR2117

Xem thêm những sản phẩm IC khác tại đây

Datasheet IR2117