Giới thiệu tổng quát H15R1203
H15R1203 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) thuộc dòng trench-field stop IGBT thế hệ mới, do hãng IXYS hoặc các nhà sản xuất OEM cung cấp. Đây là linh kiện IGBT kênh N, có khả năng hoạt động ở điện áp cao (lên đến 1200V) và dòng tải lớn (15A), lý tưởng cho các ứng dụng điều khiển động cơ, biến tần, bộ kích điện (inverter), UPS, và máy hàn điện tử.
Đặc điểm nổi bật H15R1203
-
Điện áp cao 1200V, phù hợp cho ứng dụng trung thế.
-
Dòng dẫn lớn 15A, có thể cao hơn ở chế độ xung.
-
Công nghệ trench-field stop, giúp:
-
Giảm tổn hao chuyển mạch
-
Giảm điện áp rơi V<sub>CE(sat)</sub>
-
Tăng mật độ dòng điện
-
-
Tích hợp diode thuận siêu nhanh (freewheeling diode) để giảm nhiễu và bảo vệ mạch.
-
Gói TO-247 phổ biến, dễ tản nhiệt và lắp đặt.
Ứng dụng tiêu biểu H15R1203
-
Biến tần điều khiển động cơ AC/DC
-
Bộ kích điện, UPS
-
Máy hàn điện tử
-
Hệ thống điện mặt trời / năng lượng tái tạo
-
Bộ nguồn cao tần, SMPS
-
Chỉnh lưu có điều khiển
Chưa có đánh giá nào.