G30N60B3 HGTG30N60B3 IGBT 30A 600V TO-247 Tháo máy

Giới thiệu về G30N60B3

G30N60B3 là một MOSFET công suất hiệu suất cao, phù hợp với nhiều ứng dụng trong công nghiệp và dân dụng. Khả năng xử lý điện áp và dòng lớn cùng hiệu suất chuyển mạch thấp giúp nó trở thành lựa chọn lý tưởng trong các mạch công suất và điều khiển hiện đại.

Đặc điểm nổi bật

• Dòng điện và điện áp cao:
  • MOSFET này có khả năng xử lý dòng điện và điện áp lớn, phù hợp với các ứng dụng công suất cao.
• Tổn thất chuyển mạch thấp:
  • Hiệu suất cao trong việc chuyển đổi trạng thái bật/tắt.
• Khả năng chịu nhiệt tốt:
  • Có thể hoạt động ổn định trong môi trường nhiệt độ cao.
• Chịu đựng điện áp ngược cao:
  • Được thiết kế với khả năng chịu điện áp ngược để đảm bảo an toàn khi xảy ra các xung điện áp.

Thông số kỹ thuật G30N60B3

Ứng dụng

• Nguồn cung cấp điện (SMPS):
  • Dùng trong các bộ chuyển đổi điện áp cao với hiệu suất tốt.
• Bộ biến tần (Inverter):
  • Ứng dụng trong điều khiển động cơ AC hoặc hệ thống năng lượng tái tạo.
• Điều khiển động cơ:
  • Được sử dụng trong các bộ điều tốc, hệ thống servo hoặc các thiết bị công nghiệp.
• Hệ thống chiếu sáng:
  • Áp dụng trong đèn LED công suất cao và các thiết bị chiếu sáng tiết kiệm năng lượng.
• UPS và năng lượng tái tạo:
  • Sử dụng trong các hệ thống lưu trữ năng lượng và chuyển đổi năng lượng mặt trời.

Sơ đồ cấu tạo G30N60B3

Kích thước G30N60B3

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet G30N60B3