FQPF10N60C, FQPF10N60, 10N60, N MOSFET 10A 600V Kiểu Chân TO220F

Giới thiệu về FQPF10N60

FQPF10N60 là một MOSFET kênh-N được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng công suất cao với khả năng chịu đựng điện áp lên đến 600V và dòng điện tối đa 10A. Đây là một thành phần công suất mạnh mẽ phù hợp cho nhiều ứng dụng khác nhau. FQPF10N60 là một lựa chọn mạnh mẽ cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt là trong các hệ thống yêu cầu điện áp lớn và điều khiển dòng điện cao, cung cấp hiệu suất tốt và độ tin cậy cao.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Điện áp chịu đựng cực nguồn (Vds)
  • Giá trị tối đa: 600V
  • Ý nghĩa: Đây là điện áp tối đa mà MOSFET có thể chịu đựng giữa cực nguồn (Drain) và cực nguồn (Source) mà không bị hỏng. Điều này cho phép MOSFET hoạt động ổn định trong các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện cực nguồn (Id)
  • Giá trị tối đa: 10A
  • Ý nghĩa: Đây là dòng điện tối đa có thể chảy qua MOSFET khi nó đang dẫn. Giá trị này cho phép MOSFET điều khiển các tải có dòng điện lớn mà không bị quá tải.
• Điện trở kênh dẫn (Rds(on))
  • Giá trị: Khoảng 0.15Ω ở Vgs = 10V.
  • Ý nghĩa: Điện trở này cho biết mức độ tổn thất công suất trong MOSFET khi nó đang dẫn. Giá trị thấp giúp giảm tổn thất công suất và cải thiện hiệu suất.
• Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th))
  • Giá trị: Khoảng 2V đến 4V.
  • Ý nghĩa: Đây là điện áp cổng cần thiết để MOSFET bắt đầu dẫn. MOSFET sẽ dẫn khi điện áp cổng vượt qua giá trị này.
• Điện dung cổng (Ciss, Coss, Crss)
  • Ciss (Điện dung giữa cực cổng và cực nguồn): Thường khoảng 1700pF.
  • Coss (Điện dung giữa cực nguồn và cực source): Thường khoảng 800pF.
  • Crss (Điện dung giữa cực cổng và cực source): Thường khoảng 600pF.
  • Ý nghĩa: Các giá trị này ảnh hưởng đến tốc độ chuyển mạch và hiệu suất trong các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.
• Điện áp cách điện (Vgs(max))
  • Giá trị tối đa: 20V
  • Ý nghĩa: Đây là điện áp tối đa có thể áp dụng vào cổng mà không gây hại cho MOSFET.
• Nhiệt độ hoạt động
  • Dải nhiệt độ hoạt động: Thường từ -55°C đến 150°C.
  • Ý nghĩa: Nhiệt độ hoạt động cao cho phép MOSFET hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ cấu tạo 

Ứng dụng

FQPF10N60 thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao và yêu cầu khả năng chịu đựng điện áp lớn, bao gồm:

• Nguồn cung cấp điện: Đặc biệt trong các bộ nguồn chuyển mạch, nơi cần điều khiển công suất cao và điện áp lớn.
• Mạch chuyển mạch công suất cao: Trong các thiết bị công nghiệp và các bộ điều khiển động cơ.
• Thiết bị điện tử công suất: Được sử dụng trong các thiết bị yêu cầu chịu đựng điện áp cao và dòng điện lớn.

Kích thước FQPF10N60

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet FQPF10N60