Giới thiệu về FP75R12KT3
FP75R12KT3 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), một loại transistor công suất tích hợp, được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng điện tử công suất cao. Nó là sản phẩm của Infineon Technologies, một trong những nhà sản xuất hàng đầu trong lĩnh vực điện tử công suất. Module này được thiết kế để tối ưu hóa cho các hệ thống biến tần, điều khiển động cơ và các ứng dụng năng lượng tái tạo.
Đặc điểm FP75R12KT3
- IGBT công suất cao: FP75R12KT3 tích hợp IGBT loại 3, có khả năng xử lý dòng điện lớn và điện áp cao với tổn thất năng lượng thấp.
- Tích hợp Diode Freewheeling: Module này bao gồm các diode freewheeling, giúp bảo vệ IGBT khi có sự thay đổi đột ngột về dòng điện.
- Tản nhiệt tốt: Được tích hợp tấm tản nhiệt hiệu quả giúp duy trì nhiệt độ ổn định trong quá trình hoạt động.
- Khả năng chịu đựng điện áp: Module này có khả năng chịu được điện áp lên tới 1200V, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
- Dòng điện đỉnh cao: Dòng điện định mức là 75A, cho phép nó hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.
Thông số kĩ thuật của FP75R12KT3
- Điện áp khối IGBT (Vce): 1200V
- Dòng điện định mức (Ic): 75A
- Tổn thất chuyển mạch (Switching Losses): Tối ưu hóa cho tổn thất thấp và hiệu suất cao.
- Nhiệt độ hoạt động: Module có khả năng hoạt động trong các môi trường khắc nghiệt, với phạm vi nhiệt độ rộng.
Ứng dụng FP75R12KT3
FP75R12KT3 được sử dụng trong nhiều ứng dụng công suất cao, bao gồm:
- Biến tần điều khiển động cơ: Sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và hiệu suất của động cơ điện.
- Hệ thống năng lượng tái tạo: Đặc biệt là trong các hệ thống biến tần cho năng lượng mặt trời và gió.
- UPS (Bộ lưu điện): Đảm bảo nguồn điện ổn định cho các hệ thống quan trọng khi xảy ra sự cố.
- Hệ thống nguồn công nghiệp: Được dùng trong các hệ thống cung cấp và chuyển đổi năng lượng lớn trong công nghiệp.
Cấu tạo của Modul IGBT FP75R12KT3
Kích thước FP75R12KT3
Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.