FP75R12KE3 IGBT infineon 75A 1200V (tháo máy)

Giới thiệu FP75R12KE3

FP75R12KE3

Thông Số Kỹ Thuật Chính FP75R12KE3

1. Điện Áp Cực Đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
   • 1200V: Điện áp tối đa mà module IGBT có thể chịu đựng giữa cực thu (Collector) và cực phát (Emitter). Điều này cho phép sử dụng trong các ứng dụng điện áp cao như biến tần và nguồn cung cấp điện công suất lớn.
2. Dòng Cực Đại (Collector Current – Ic):
   • 75A: Dòng điện tối đa mà module có thể xử lý liên tục trong điều kiện hoạt động tiêu chuẩn. Điều này cho phép FP75R12KE3 xử lý các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.
3. Điện Trở Tiếp Xúc (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
   • Khoảng 2.1V tại dòng định mức: Điện áp này biểu thị tổn thất điện năng khi IGBT đang dẫn điện. Giá trị thấp giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất.
4. Điện Trở Cổng (Gate-Emitter Voltage – Vge):
   • ±20V: Điện áp tối đa áp dụng giữa cổng (Gate) và cực phát (Emitter) để điều khiển IGBT.
5. Nhiệt Độ Hoạt Động Tối Đa (Max Junction Temperature – Tj):
   • 150°C: Nhiệt độ tối đa mà module có thể hoạt động mà không bị hư hỏng.
6. Điện Trở Cổng (Gate-Emitter Voltage – Vge):
   • ±20V: Điện áp tối đa có thể áp dụng giữa cổng và cực phát để điều khiển IGBT.

Các Tính Năng Chính FP75R12KE3

1. Tính Năng Chuyển Mạch:
   • Thời gian chuyển mạch nhanh: FP75R12KE3 được thiết kế để cung cấp hiệu suất chuyển mạch cao, thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ chuyển mạch nhanh như biến tần và điều khiển động cơ.
2. Khả Năng Chịu Nhiệt:
   • Hoạt động ở nhiệt độ cao: Có thể hoạt động ở nhiệt độ môi trường lên đến 150°C, giúp đảm bảo độ tin cậy trong các điều kiện môi trường khắc nghiệt.
3. Điện Trở Tiếp Xúc Thấp:
   • Giảm tổn thất điện năng: Điện trở tiếp xúc thấp giúp giảm tổn thất năng lượng và tăng hiệu suất của hệ thống.
4. Điều Khiển Dễ Dàng:
   • Điện áp điều khiển thấp: FP75R12KE3 có thể điều khiển dễ dàng với điện áp cổng thấp, giúp đơn giản hóa mạch điều khiển.

Nguyên Lý Hoạt Động của IGBT

1. Cấu Trúc:
   • IGBT kết hợp đặc điểm của transistor bipolar (BJT) và MOSFET. Cấu trúc cơ bản của IGBT bao gồm ba lớp bán dẫn: lớp n (N-Buffer), lớp p (P-Base) và lớp n (N-Collector).
2. Chế Độ Điều Khiển:
   • Cổng (Gate): Điều khiển điện áp quyết định trạng thái dẫn hay ngắt của IGBT.
   • Cực Phát (Emitter) và Cực Thu (Collector): Cung cấp đường dẫn cho dòng điện từ cực thu đến cực phát.
3. Chế Độ Dẫn:
   • Khi điện áp điều khiển (Vge) được áp dụng vào cổng, lớp điện tích được hình thành giữa lớp n và lớp p, cho phép dòng điện chảy từ cực thu đến cực phát.
4. Chế Độ Ngắt:
   • Khi điện áp điều khiển không còn, lớp điện tích biến mất, dòng điện không thể chảy qua từ cực thu đến cực phát.
5. Chế Độ Saturation:
   • Trong trạng thái dẫn, IGBT có một điện áp rơi (Vce(sat)) giữa cực thu và cực phát, không hoàn toàn bằng không nhưng thấp, giúp giảm tổn thất điện năng.
6. Tính Năng Chuyển Mạch:
   • Thời gian chuyển mạch nhanh, giúp cải thiện hiệu suất trong các ứng dụng chuyển mạch cao.

Ứng Dụng FP75R12KE3

1. Biến Tần (Inverters):
   • Sử dụng trong các hệ thống biến tần để chuyển đổi điện áp DC thành AC, ứng dụng trong năng lượng mặt trời và các hệ thống điều khiển động cơ.
2. Nguồn Cung Cấp Điện (Power Supplies):
   • Thích hợp cho các nguồn cung cấp điện công suất cao yêu cầu hiệu suất cao và độ tin cậy.
3. Điều Khiển Động Cơ (Motor Drives):
   • Dùng trong các hệ thống điều khiển động cơ trong các ứng dụng công nghiệp và thiết bị tự động hóa.
4. Thiết Bị Hàn (Welding Equipment):
   • Sử dụng trong các thiết bị hàn công suất cao yêu cầu điều khiển dòng điện lớn và hiệu suất chuyển mạch tốt.

Sơ đồ tương đương FP75R12KE3

Kích thước FP75R12KE3

Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet của FP75R12KE3