GIỚI THIỆU CHUNG:
FGA30N60 là một transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) kênh N, thường được sản xuất bởi Fairchild Semiconductor (nay là ON Semiconductor). Đây là một linh kiện công suất được thiết kế để chuyển mạch nhanh và hiệu quả trong các ứng dụng điện tử công suất trung bình.
Đặc điểm chính:
- Loại linh kiện: IGBT kênh N (Trench Field Stop)
- Điện áp Collector-Emitter tối đa (): 600V
- Dòng điện Collector liên tục (): Thường là 30A (ở Tc = 100°C), có thể đạt đến 60A ở Tc = 25°C.
- Kiểu chân: Thường là TO-3P hoặc TO-247, là các kiểu chân phổ biến cho các linh kiện công suất, giúp tản nhiệt tốt.
- Điện áp bão hòa Collector-Emitter (): Thường thấp, khoảng 1.1V – 1.4V ở , , giúp giảm tổn thất dẫn điện.
- Tốc độ chuyển mạch: Được thiết kế để có tốc độ chuyển mạch nhanh, phù hợp cho nhiều ứng dụng.
- Ứng dụng tiêu biểu: Thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung (SMPS), mạch điều khiển động cơ, инвертор năng lượng mặt trời, bộ lưu điện UPS (UPS), và các ứng dụng chuyển mạch công nghiệp khác nơi yêu cầu tổn thất dẫn điện thấp là quan trọng.
- Công nghệ Trench Field Stop: Giúp tối ưu hóa hiệu suất và giảm tổn thất.
Sơ đồ chân:
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA IGBT (Tổng Quan)
- Kết hợp đặc tính điều khiển bằng điện áp của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn, điện áp bão hòa thấp của BJT.
- Điều khiển dòng điện Collector-Emitter () thông qua điện áp Gate-Emitter ().
- Khi vượt quá điện áp ngưỡng (), IGBT bắt đầu dẫn điện.
- Dòng điện tăng theo và điện áp Collector-Emitter ().
- Có điện áp bão hòa khi IGBT dẫn điện.
Thông số kĩ thuật:
CHỨC NĂNG CỦA FGA30N60 IGBT KÊNH N 600V 60A
- Chuyển mạch (Switching) công suất:
- Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện lớn (lên đến 60A tùy điều kiện) và điện áp 600V.
- Thích hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình đến cao với tổn thất thấp.
- Điều khiển công suất:
- Điều khiển dòng điện và điện áp trong các mạch công suất.
- Sử dụng trong điều khiển động cơ, bộ điều chỉnh điện áp.
- Tạo xung:
- Tạo ra các xung điện trong các ứng dụng инвертор và nguồn.
ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA FGA30N60 IGBT KÊNH N 600V 60A TO-3P
- Bộ nguồn xung (SMPS).
- Mạch điều khiển động cơ (Motor Control).
- Mạch hàn điện (Inverter Welding Machines).
- Các ứng dụng chuyển mạch công nghiệp (Industrial Switching Applications).
LƯU Ý KHI SỬ DỤNG FGA30N60 IGBT KÊNH N 600V 60A TO-3P THÁO MÁY
- Kiểm tra kỹ lưỡng:
- Xem xét hình thức bên ngoài (nứt, vỡ, chân bị cong).
- Đo kiểm tra giữa các chân bằng đồng hồ vạn năng (ngắn mạch, hở mạch).
- Tìm datasheet:
- Xác định chính xác các thông số kỹ thuật (, ở các điều kiện nhiệt độ, , ).
- Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
- Sử dụng biện pháp bảo vệ chống tĩnh điện khi thao tác.
- Tản nhiệt:
- Gắn IGBT vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Kiểu chân TO-3P cần được lắp đặt cẩn thận để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
- Không vượt quá định mức:
- Tuân thủ điện áp và dòng điện tối đa cho phép theo datasheet. Lưu ý đến giới hạn dòng điện ở các nhiệt độ khác nhau.
- Điện áp điều khiển Gate:
- Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường +/- 20V).
- Thận trọng với nguồn gốc (tháo máy):
- Có thể đã qua sử dụng và có tuổi thọ giảm.
- Thử nghiệm kỹ lưỡng trước khi sử dụng trong các ứng dụng quan trọng.
- Bảo vệ mạch:
- Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng và quá áp cho mạch.
Kích thước:
Xem thêm các IGBT khác tại đây
Datasheet:
Chưa có đánh giá nào.