DP35F1200T111648 IGBT Module 35A 1200V Tháo máy

Giới thiệu vể DP35F1200T111648

DP35F1200T111648 là một IGBT module (Transistor lưỡng cực có cổng cách ly) công suất cao, do Danfoss sản xuất. Đây là dòng IGBT điện áp cao (1200V), dòng tải 35A, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao và tổn hao thấp.

Thông số kỹ thuật chính

• Điện áp Collector-Emitter (V_CES): 1200V
• Dòng Collector tối đa (I_C): 35A
• Cấu hình mạch: Half-Bridge
• Công suất tổn hao thấp, hiệu suất cao
• Hệ số tản nhiệt tối ưu, phù hợp với môi trường công suất lớn
• Dạng module, dễ dàng lắp đặt vào hệ thống

Đặc điểm nổi bật

• Hiệu suất cao – Tối ưu hóa tổn hao chuyển mạch và tổn hao dẫn để nâng cao hiệu suất toàn hệ thống.
• Độ bền cao – Thiết kế chắc chắn, hoạt động ổn định trong điều kiện công suất lớn.
• Tản nhiệt tốt – Hệ số tản nhiệt tối ưu giúp giảm thiểu nhiệt độ hoạt động, kéo dài tuổi thọ linh kiện.
• Khả năng chịu dòng cao – Phù hợp với các mạch cần xử lý dòng điện lớn, giảm nhiễu điện từ.

Ứng dụng thực tế

• Biến tần (Inverter): Sử dụng trong hệ thống điều khiển động cơ công nghiệp.
• Bộ nguồn công suất lớn: Dùng trong nguồn xung, bộ chuyển đổi năng lượng.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Được ứng dụng trong biến tần điện mặt trời, bộ chuyển đổi năng lượng gió.
• Thiết bị công suất cao: Ứng dụng trong hệ thống UPS, bộ lưu điện công nghiệp.

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Kết luận

IGBT DP35F1200T111648 là một module công suất cao, bền bỉ, được thiết kế cho các hệ thống điện áp 1200V, dòng 35A, phù hợp với nhiều ứng dụng công nghiệp như biến tần, bộ nguồn xung, UPS, hệ thống năng lượng tái tạo. Với hiệu suất cao và khả năng tản nhiệt tốt, đây là một linh kiện quan trọng trong các thiết bị yêu cầu công suất lớn và độ tin cậy cao.