4MBI650VB-120R1-80, 4MBI650VB-120R1 Module IGBT 650A 1200V (tháo máy)

banlinhkiendientu.vn là đơn vị chuyên cung cấp module IGBT 4MBI650VB-120R1-80 hàng tháo máy zin chính hãng, được trực tiếp các kĩ thuật lành nghề bên shop hút từ mạch zin ra và đo đạc, kiểm tra kỹ càng nhằm mang lại chất lượng sản phẩm tốt nhất cho quý khách hàng.

Giới thiệu về 4MBI650VB-120R1-80

4MBI650VB-120R1-80 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module sản xuất bởi Mitsubishi Electric. Đây là một loại IGBT module được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng công suất cao, như biến tần, nguồn cung cấp điện, và các hệ thống điều khiển động cơ. Mô-đun này tích hợp các tính năng của cả transistor và diode trong một cấu trúc duy nhất, giúp chuyển mạch hiệu quả và cải thiện hiệu suất.

Đặc điểm nổi bật

1. Công suất cao:
   • 4MBI650VB-120R1-80 có khả năng chịu đựng dòng điện và điện áp lớn, giúp đáp ứng nhu cầu trong các ứng dụng công suất cao, đặc biệt là các thiết bị công nghiệp yêu cầu chuyển mạch hiệu quả và bền bỉ.
2. Điện áp hoạt động cao:
   • Mô-đun này có điện áp cực đại lên tới 1200V, cho phép hoạt động trong môi trường điện áp cao.
3. Dòng điện chịu đựng lớn:
   • 4MBI650VB-120R1-80 có khả năng chịu đựng dòng 650A trong một chu kỳ ngắn, cho phép nó hoạt động trong các ứng dụng cần xử lý dòng điện lớn như trong các hệ thống truyền động động cơ hoặc hệ thống điều khiển công suất.
4. Công nghệ bảo vệ tích hợp:
   • Mô-đun này thường tích hợp các công nghệ bảo vệ như bảo vệ quá nhiệt, bảo vệ quá dòng và bảo vệ ngắn mạch, giúp tăng độ bền và độ tin cậy trong suốt thời gian hoạt động.
5. Khả năng chuyển mạch nhanh:
   • IGBT của mô-đun này hỗ trợ tốc độ chuyển mạch nhanh, giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch và cải thiện hiệu suất hệ thống.

Thông số kỹ thuật chính

• Điện áp cực đại (V_CE): 1200V
• Dòng điện cực đại (I_C): 650A (trong chu kỳ ngắn)
• Điện áp bão hòa (V_CE(sat)): Tùy thuộc vào điều kiện hoạt động, thường khoảng 2V ở mức dòng cao.
• Tần số chuyển mạch: Có thể hoạt động với tần số chuyển mạch cao, tùy thuộc vào thiết kế mạch.
• Điện áp gate-to-emitter (V_GE): Thường khoảng 15V trong mạch điều khiển.
• Nhiệt độ hoạt động: Hoạt động hiệu quả trong phạm vi nhiệt độ từ -40°C đến +150°C.
• Loại đóng gói: Module dạng gắn bề mặt (Screw terminal), giúp dễ dàng lắp đặt trong các mạch điện công suất cao.

Ứng dụng

1. Biến tần (Inverter):
   • 4MBI650VB-120R1-80 được sử dụng trong các hệ thống biến tần (VFD) để điều khiển tốc độ động cơ trong các ứng dụng công nghiệp và hệ thống năng lượng tái tạo như điện gió và điện mặt trời.
2. Hệ thống điều khiển động cơ (Motor Drive Systems):
   • Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất cao, chẳng hạn như trong các máy móc công nghiệp, các thiết bị tự động hóa, và các hệ thống truyền động.
3. Nguồn cung cấp điện (Power Supplies):
   • Được sử dụng trong các bộ nguồn cung cấp điện công suất cao cho các ứng dụng công nghiệp hoặc các hệ thống điện năng tái tạo, nơi cần điều khiển dòng điện lớn và ổn định.
4. Năng lượng tái tạo (Renewable Energy Systems):
   • Mô-đun IGBT này có thể được sử dụng trong các hệ thống năng lượng mặt trời hoặc năng lượng gió để chuyển đổi và điều chỉnh dòng điện DC thành AC.
5. Hệ thống UPS (Uninterruptible Power Supply):
   • 4MBI650VB-120R1-80 có thể được sử dụng trong các hệ thống UPS để cung cấp năng lượng liên tục cho các thiết bị quan trọng trong trường hợp mất điện.

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Kích thước 4MBI650VB-120R1-80