7MBR100SD060-50 Module IGBT Fuji 100A 600V (Tháo máy)

Giới thiệu về 7MBR100SD060-50

7MBR100SD060-50 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được sản xuất bởi Mitsubishi Electric, thiết kế cho các ứng dụng công suất cao. Mô-đun này tích hợp các tính năng của IGBT và diode Schottky, cung cấp khả năng chuyển đổi điện năng hiệu quả cho các hệ thống điều khiển động cơ và biến tần.

Đặc điểm nổi bật 7MBR100SD060-50

• Thiết kế mô-đun tích hợp: Mô-đun bao gồm nhiều IGBT và diode Schottky, giúp giảm số lượng linh kiện và tối ưu hóa không gian trong hệ thống.
• Hiệu suất chuyển đổi cao: Được tối ưu hóa để giảm tổn thất điện năng và tăng tốc độ chuyển mạch, cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Bảo vệ tích hợp: Mô-đun có các chức năng bảo vệ như quá dòng và quá nhiệt, bảo vệ mạch điện khỏi các sự cố không mong muốn.
• Khả năng tản nhiệt tốt: Thiết kế cho phép tản nhiệt hiệu quả, duy trì hiệu suất ổn định trong nhiều điều kiện làm việc.

Thông số kỹ thuật 7MBR100SD060-50

• Điện áp cực thu – cực phát (V_CES): 600V
• Dòng điện cực thu tối đa (I_C): 100A
• Điện áp bão hòa cực thu – cực phát (V_CE(sat)): Khoảng 1.6V
• Điện áp điều khiển cổng (V_GE): ±20V
• Tần số chuyển mạch tối đa: Khoảng 10kHz – 20kHz
• Nhiệt độ hoạt động tối đa (T_j): 150°C

Ứng dụng 7MBR100SD060-50

• Biến tần: Ứng dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển động cơ và chuyển đổi năng lượng.
• Điều khiển động cơ: Sử dụng trong các hệ thống điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ công nghiệp.
• Bộ cấp nguồn chuyển mạch (SMPS): Thích hợp cho các ứng dụng cung cấp điện ổn định và hiệu quả.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Ứng dụng trong năng lượng mặt trời và điện gió, giúp chuyển đổi và điều chỉnh năng lượng.

Sơ đồ tương đương 7MBR100SD060-50

Kích thước 7MBR100SD060-50

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác

Datasheet 7MBR100SD060-50