SMCJ16A GEP Diode bảo vệ 16V

Giới thiệu về Diode TVS SMCJ16A

SMCJ16A là một diode TVS (Transient Voltage Suppression) với khả năng bảo vệ các thiết bị điện tử khỏi các xung điện áp đột ngột như sét, xung nguồn, hoặc các sự cố tĩnh điện (ESD). Được thiết kế với vỏ bọc SMC (DO-214AB), diode này có thể cung cấp khả năng bảo vệ với điện áp làm việc 16V, phù hợp cho các ứng dụng nhạy cảm và mạch điện có điện áp thấp.

Đặc điểm của Diode TVS SMCJ16A

1. Bảo vệ một chiều (unidirectional): Được thiết kế để bảo vệ các mạch điện chỉ theo một hướng.
2. Công suất đỉnh xung (P_PPM): 1500W trong thời gian 10/1000 µs, giúp diode chịu được các xung điện mạnh trong thời gian ngắn.
3. Điện áp ngược cực đại (VRWM): 16V, thích hợp cho các mạch điện có điện áp làm việc thấp.
4. Điện áp kẹp (VC): 26V tại dòng đỉnh 58A, đảm bảo bảo vệ hiệu quả khi có xung điện áp đột ngột.
5. Thời gian phản hồi nhanh: Chỉ dưới 1ns, diode này có khả năng bảo vệ tức thời khỏi các xung điện không mong muốn.
6. Vỏ bọc SMC: Thiết kế bền vững và nhỏ gọn, dễ tích hợp vào các mạch bảo vệ, cung cấp khả năng tản nhiệt tốt.

Ứng dụng của Diode TVS SMCJ16A

• Bảo vệ mạch điện tử: Sử dụng trong các mạch viễn thông, điện tử tiêu dùng và các thiết bị nhạy cảm với sự cố điện áp.
• Bảo vệ các cổng giao tiếp: Diode này thường được sử dụng để bảo vệ các cổng tín hiệu, dữ liệu, và nguồn khỏi các sự cố điện áp.
• Bảo vệ chống tĩnh điện (ESD): Sử dụng trong các mạch nhạy cảm như vi điều khiển, bộ vi xử lý, và các thiết bị có yêu cầu bảo vệ ESD cao.

Thông số kỹ thuật của Diode TVS SMCJ16A

• Điện áp ngược cực đại (VRWM): 16V
• Điện áp đánh thủng (VBR): 17.8V đến 19.7V (tại 1mA)
• Điện áp kẹp (VC): 26V (tại 58A)
• Công suất đỉnh xung (P_PPM): 1500W (ở xung 10/1000 µs)
• Dòng điện đỉnh (IPP): 58A
• Thời gian phản hồi: < 1ns
• Loại cấu hình: Một chiều (unidirectional)
• Vỏ bọc: SMC (DO-214AB)

Sơ đồ cấu tạo SMCJ16A

Kích thước SMCJ16A

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode TVS tại đây

Datasheet SMCJ16A