QM50DY-HB Module Transistor Mitsubishi 50A 600V (Tháo máy)

Giới thiệu về QM50DY-HB

QM50DY-HB là một mô-đun bán dẫn công suất (IGBT module) do Mitsubishi Electric sản xuất. Đây là một thiết bị IGBT kép (Dual IGBT module) được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao như biến tần, bộ nguồn chuyển đổi, hệ thống điều khiển động cơ, và các ứng dụng công nghiệp khác.

Đặc điểm nổi bật QM50DY-HB

• Tích hợp Diode phục hồi nhanh: Giảm tổn thất chuyển mạch và tăng hiệu suất cho các ứng dụng công suất cao.
• Cách nhiệt và cách ly điện tốt: Tấm nền cách điện cung cấp độ bền cao và cách ly tốt giữa các phần mạch.
• Độ bền cơ học cao: Được thiết kế cho các ứng dụng công nghiệp với độ ổn định và độ bền cao.

Thông Số QM50DY-HB

• Cấu hình:
  • Loại: IGBT module kép (Dual IGBT).
  • Đi-ốt phục hồi nhanh tích hợp, giảm tổn thất và tăng hiệu suất chuyển mạch.
• Thông số điện áp và dòng điện:
  • Điện áp tối đa giữa Collector – Emitter (Vce): 600V.
  • Dòng điện Collector liên tục (Ic): 50A.
  • Dòng điện Collector đỉnh (Icm): 100A.
  • Điện áp Gate-Emitter tối đa (Vge): ±20V.
• Điện trở nhiệt:
  • Từ Junction đến Case (Rth(j-c)): thấp, đảm bảo khả năng tản nhiệt tốt.
• Khả năng chuyển mạch:
  • Tần số chuyển mạch: Phù hợp với các ứng dụng trung bình (medium-frequency).
• Kích thước và thiết kế:
  • Vỏ: Module dạng khối (module housing), dễ dàng lắp đặt.
  • Chân kết nối: Các chân kết nối được thiết kế để dễ tích hợp với mạch điện.
• Nhiệt độ hoạt động:
  • Từ -40°C đến +150°C, đảm bảo hoạt động ổn định trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.
• Đóng gói:
  • Thiết kế nhỏ gọn, cách nhiệt tốt, giúp bảo vệ linh kiện bên trong khỏi các yếu tố môi trường.

Cấu Tạo QM50DY-HB

Kích Thước QM50DY-HB

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Transistor 

Datasheet QM50DY-HB