Giới thiệu PM150RSE120
-
PM150RSE120 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ba pha với công suất lớn, được sản xuất bởi Mitsubishi Electric.
-
Đây là một Power Module (mô-đun công suất) tích hợp, thường được dùng trong các ứng dụng công nghiệp yêu cầu chuyển mạch nhanh và chịu tải cao.
-
PM150RSE120 được thiết kế để hoạt động với dòng điện lớn và điện áp cao, đặc biệt trong các ứng dụng biến tần và điều khiển động cơ.
Thông số kỹ thuật chính
-
Loại mô-đun: IPM 6-pack
-
Công nghệ IGBT: Sử dụng IGBT và diode thế hệ mới của Mitsubishi
-
Điện áp hoạt động (Vce): Tối đa 1200 V
-
Dòng điện liên tục (Ic): 150 A
-
Điện áp cách ly: 2500 Vrms
-
Tần số đóng cắt: Lên đến 20 kHz
-
Bảo vệ tích hợp: Có bảo vệ quá nhiệt, ngắn mạch, và thiếu điện áp
-
Loại lắp đặt: Gắn trực tiếp vào khung tản nhiệt
-
Tiêu chuẩn môi trường: Tuân thủ RoHS
Ứng dụng điển hình
-
Biến tần công nghiệp
-
Điều khiển động cơ AC (servo, động cơ 3 pha)
-
Hệ thống điện năng lượng tái tạo (solar, wind)
-
Bộ lưu điện UPS
-
Thiết bị tự động hóa công nghiệp, máy hàn, và các ứng dụng có công suất cao khác
Ưu điểm nổi bật
-
Tính bảo mật cao với mạch bảo vệ tích hợp (quá nhiệt, ngắn mạch)
-
Chịu dòng lớn và điện áp cao lên đến 1200V và 150A
-
Hiệu suất cao và đóng cắt nhanh (lên đến 20 kHz)
-
Lắp đặt dễ dàng và giảm thiểu không gian nhờ vào thiết kế gọn gàng
Bảng giá gói của PM150RSE120
Sơ đồ khối chức năng bên trong của PM150RSE120
Xem thêm các IGBT khác tại đây
DATASHEET của PM150RSE120
Chưa có đánh giá nào.