PM150DSA120 IGBT MITSUBISHI 150A 1200V Tháo máy

Giới thiệu về PM150DSA120

PM150DSA120 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Mitsubishi Electric sản xuất. Mô-đun này được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các hệ thống biến tần, điều khiển động cơ, và các ứng dụng điện công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật PM150DSA120

• Công suất cao: PM150DSA120 có khả năng chịu đựng điện áp tối đa lên đến 1200V và dòng điện cực đại khoảng 150A, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu công suất lớn.
• Thiết kế tích hợp: Mô-đun này tích hợp cả IGBT và diode trong một gói duy nhất, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng và cải thiện độ tin cậy.
• Khả năng chuyển mạch nhanh: Thiết kế cho phép chuyển mạch nhanh, giảm thiểu tổn thất trong quá trình bật/tắt.
• Khả năng tản nhiệt tốt: Được thiết kế để tản nhiệt hiệu quả, đảm bảo hoạt động ổn định ngay cả trong môi trường làm việc khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật PM150DSA120

• Điện áp chịu đựng (V_CES): 1200V
• Dòng điện cực đại (I_C): 150A
• Điện áp ngưỡng cổng (V_GE): ±20V
• Điện áp bão hòa (V_CE(sat)): Khoảng 1.8V (tối đa)
• Nhiệt độ hoạt động (T_J): Tối đa 150°C
• Diode phản hồi: Tích hợp

Ứng dụng PM150DSA120

• Biến tần công nghiệp: Sử dụng trong các bộ biến tần để điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ.
• Điều khiển động cơ: Áp dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất lớn, như máy móc tự động hóa và thiết bị sản xuất.
• Hệ thống cấp điện không gián đoạn (UPS): Được sử dụng trong các hệ thống UPS để cung cấp nguồn điện ổn định và liên tục.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Dùng trong các bộ chuyển đổi năng lượng từ năng lượng mặt trời hoặc gió.
• Thiết bị chuyển đổi tần số: Sử dụng trong các hệ thống điện tử công nghiệp để điều chỉnh tần số dòng điện.

Sơ đồ tương đương PM150DSA120

Kích thước PM150DSA120

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IGBT khác

Datasheet PM150DSA120