Giới thiệu về Diode TVS P6KE33A
P6KE33A là một diode TVS (Transient Voltage Suppression) được thiết kế để bảo vệ các mạch điện tử khỏi các xung điện áp đột ngột, chẳng hạn như các xung từ tia sét, xung nguồn hoặc các sự cố ESD. Nó có khả năng hấp thụ năng lượng đột biến lên tới 600W, và điện áp bảo vệ 33V. Diode này được đóng gói trong vỏ DO-15.
Đặc điểm của Diode TVS P6KE33A
- Khả năng hấp thụ xung cao: Công suất đỉnh 600W trong khoảng thời gian 1ms, bảo vệ các linh kiện khỏi các xung đột ngột và ngắn hạn.
- Điện áp ngược hoạt động: Điện áp hoạt động danh định của diode là 33V, phù hợp với nhiều mạch điện công suất vừa và nhỏ.
- Phản hồi nhanh: Thời gian đáp ứng rất ngắn, thường dưới 1ns, cho phép diode phản ứng ngay lập tức với các xung điện áp bất thường.
- Vỏ bọc DO-15: Vỏ DO-15 phổ biến, dễ dàng lắp đặt trong nhiều loại mạch điện khác nhau.
- Bảo vệ đa dạng: P6KE33A bảo vệ cả các sự cố điện áp đột ngột như sét, xung ESD, hoặc các sự cố công nghiệp khác.
Ứng dụng của Diode TVS P6KE33A
- Bảo vệ chống sét lan truyền: Diode TVS thường được sử dụng để bảo vệ các thiết bị viễn thông, hệ thống mạng và thiết bị công nghiệp khỏi sét đánh hoặc các xung đột ngột từ nguồn.
- Bảo vệ ESD: Được ứng dụng trong các mạch điều khiển và vi mạch nhạy cảm để tránh những hư hại do tĩnh điện.
- Bảo vệ thiết bị nguồn: Sử dụng trong các bộ nguồn chuyển đổi (SMPS) để ngăn ngừa hư hại do các xung nguồn bất thường.
- Bảo vệ giao tiếp tín hiệu: Được dùng để bảo vệ các mạch truyền tín hiệu và giao tiếp giữa các thiết bị khỏi sự cố điện áp cao.
Thông số kỹ thuật của Diode TVS P6KE33A
- Điện áp ngược cực đại (V_RWM): 33V
- Điện áp kẹp (V_C): 45.7V (ở 13.2A)
- Công suất đỉnh xung (P_PPM): 600W (ở xung 10/1000µs)
- Dòng điện đỉnh (I_PP): 13.2A
- Điện áp đánh thủng (V_BR): 36.7V (ở 1mA)
- Thời gian đáp ứng: < 1ns
- Dòng điện rò ngược (I_D): 1µA (ở 33V)
- Vỏ bọc: DO-15
Sơ đồ chân P6KE33A
Kích thước P6KE33A
Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode TVS tại đây
Chưa có đánh giá nào.