MJ11032 MJ11032G Transistor NPN 50A 120V TO-3 Tháo máy

Giới thiệu về MJ11032

MJ11032 là một transistor NPN silicon công suất cao, có khả năng chịu dòng lớn và được đóng gói trong vỏ TO-3 kim loại giúp tản nhiệt hiệu quả. Thiết bị này phù hợp với các ứng dụng điều khiển dòng điện cao như bộ khuếch đại công suất, bộ điều khiển động cơ, nguồn điện công nghiệp…

Thông số kỹ thuật chính MJ11032

• Loại transistor: NPN

• Dòng Collector cực đại (IC): 50 A

• Điện áp Collector-Emitter (VCEO): 120 V

• Điện áp Collector-Base (VCBO): 140 V

• Điện áp Emitter-Base (VEBO): 5 V

• Dòng Base tối đa (IB): 10 A

• Công suất tiêu tán (Pd): 300 W (với tản nhiệt thích hợp)

• Hệ số khuếch đại dòng (hFE): 20 – 70 tại IC = 20A, VCE = 4V

• Tần số chuyển mạch (fT): khoảng 2 MHz

• Đóng gói: TO-3 (kim loại, 2 chân + đế)

Sơ đồ chân MJ11032

Tính năng nổi bật MJ11032

• Khả năng điều khiển dòng lên tới 50A

• Điện áp hoạt động cao tới 120V

• Tản nhiệt hiệu quả nhờ vỏ TO-3 kim loại

• Độ bền nhiệt và dòng cao, rất ổn định

• Phối ghép tốt với MJ11033 (PNP) để làm mạch đẩy-kéo (push-pull)

Kích thước MJ11032

Ứng dụng tiêu biểu MJ11032

• Bộ khuếch đại công suất âm thanh (power amplifier)

• Bộ điều khiển động cơ DC, servo

• Bộ nguồn tuyến tính và xung (linear & switching power supplies)

• Biến tần, UPS công suất lớn

• Thiết bị công nghiệp cần điện áp dòng lớn và độ ổn định cao

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Transistor khác tại đây

Datasheet MJ11032