MG200J2YS1 Module IGBT Toshiba 200A 600V tháo máy

Giới thiệu về MG200J2YS1

MG200J2YS1 là một mô-đun IGBT do Toshiba sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao như điều khiển động cơ, biến tần, và các thiết bị điện tử công suất khác.

Cấu trúc MG200J2YS1

• Mô-đun MG200J2YS1 tích hợp các thành phần IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) và diode nghịch, giúp điều khiển dòng điện lớn và cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả.
• Sự tích hợp này giúp mô-đun hoạt động với hiệu suất cao và ổn định trong các ứng dụng công nghiệp.

Đặc điểm MG200J2YS1

• Khả năng chuyển mạch nhanh: Mô-đun này có khả năng chuyển mạch nhanh, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng và tối ưu hóa hiệu suất vận hành.
• Chức năng bảo vệ: MG200J2YS1 được tích hợp các chức năng bảo vệ quá dòng, quá nhiệt, và ngắn mạch, đảm bảo an toàn trong quá trình vận hành và kéo dài tuổi thọ thiết bị.
• Thiết kế bền bỉ: Được thiết kế để hoạt động trong các môi trường công nghiệp khắc nghiệt, mô-đun này có độ tin cậy cao và khả năng chịu tải tốt.

Thông số kĩ thuật MG200J2YS1

• Dòng điện định mức (Ic): 200A
• Điện áp định mức (Vces): 600V
• Điện áp kích cổng (Vge): ±20V

Sơ đồ tương đương MG200J2YS1

Kích thước MG200J2YS1

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet MG200J2YS1