MBR20200CT 20200CT MBR20200 Diode Schottky kép 20A 200V TO-220

Giới thiệu về Diode Schottky MBR20200CT 

MBR20200CT là một loại diode Schottky kép với khả năng chịu dòng điện tối đa 20A và điện áp ngược cực đại 200V. Với thiết kế vỏ TO-220, diode này cung cấp hiệu suất cao, tản nhiệt tốt và độ bền cơ học cao, là lựa chọn lý tưởng cho nhiều ứng dụng trong ngành điện tử và công suất.

Đặc điểm của Diode MBR20200CT

1. Điện áp rơi thuận thấp: MBR20200CT có điện áp rơi thuận khoảng 0.45V, giúp giảm thiểu tổn thất điện năng trong các ứng dụng chỉnh lưu và chuyển mạch.
2. Dòng điện tải cao: Với khả năng chịu dòng điện tối đa 20A, diode này rất phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu dòng tải lớn, đặc biệt trong các mạch điện công suất cao.
3. Điện áp ngược cực đại (V_RRM): Diode có thể chịu được điện áp ngược tối đa 200V, đảm bảo tính ổn định và an toàn trong các ứng dụng điện áp cao.
4. Thiết kế vỏ TO-220: Vỏ TO-220 giúp tản nhiệt hiệu quả và cải thiện độ bền cơ học, cho phép diode hoạt động ổn định trong các môi trường công suất cao.

Ứng dụng của Diode MBR20200CT

• Bộ nguồn chuyển đổi (SMPS): Thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu của bộ nguồn chuyển đổi, giúp cải thiện hiệu suất và giảm tổn thất điện năng.
• Mạch chuyển đổi DC-DC: MBR20200CT thích hợp cho các mạch DC-DC yêu cầu hiệu suất cao và khả năng chịu tải tốt.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Sử dụng trong các ứng dụng năng lượng mặt trời và lưu trữ năng lượng, nơi diode cần phải hoạt động hiệu quả và tin cậy.
• Mạch bảo vệ: Diode cũng có thể được sử dụng trong các mạch bảo vệ để ngăn ngừa hiện tượng tăng áp và bảo vệ thiết bị điện tử khỏi hư hỏng.

Thông số kỹ thuật của Diode MBR20200CT

• Điện áp ngược cực đại (V_RRM): 200V
• Dòng điện tải liên tục (I_F): 20A
• Điện áp rơi thuận (V_F): 0.45V (ở 20A)
• Dòng điện rò (I_R): 1mA (ở 200V)
• Công suất đỉnh (I_FSM): 40A
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
• Vỏ bọc: TO-220

Sơ đồ chân MBR20200CT

Kích thước MBR20200CT

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode Schottky tại đây 

Datasheet MBR20200CT