MBRF10200C Diode Schottky kép 10A 200V TO-220F

Giới thiệu về MBR10200C

MBRF10200C là diode Schottky kép được thiết kế để chịu dòng tối đa 10A và điện áp ngược cực đại 200V. Với công nghệ Schottky, diode này có điện áp rơi thấp, giúp tăng hiệu suất năng lượng và giảm tổn thất nhiệt. Vỏ TO-220F cách điện tích hợp, mang lại sự an toàn và dễ dàng lắp đặt mà không cần dùng thêm miếng cách nhiệt.

Đặc điểm nổi bật MBRF10200C

1. Hiệu suất cao:
   • Điện áp rơi thấp (VF), giảm tổn thất điện năng và nhiệt năng trong mạch.
2. Thiết kế cách điện tích hợp:
   • Vỏ TO-220F giúp cách ly vỏ với các thành phần khác, cải thiện an toàn điện.
3. Khả năng chịu dòng cao:
   • Dòng dẫn tối đa lên đến 10A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất trung bình.
4. Độ tin cậy cao:
   • Khả năng chịu nhiệt tốt, phù hợp với các môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật chính MBRF10200C

• Loại diode: Schottky kép (Center-tap).
• Dòng điện dẫn danh định (Io): 10A.
• Điện áp ngược cực đại (VRRM): 200V.
• Điện áp thuận (VF): 0.85V (tại 10A).
• Dòng rò ngược (IR): 1mA (tại VR = 200V).
• Nhiệt độ hoạt động: -65°C đến +150°C.
• Đóng gói: TO-220F (cách điện tích hợp).

Ứng dụng MBRF10200C

1. Nguồn cấp chuyển đổi (SMPS):
   • Chỉnh lưu đầu ra trong bộ nguồn AC-DC và DC-DC.
2. Mạch bảo vệ:
   • Bảo vệ chống dòng ngược trong các thiết bị điện tử.
3. Ứng dụng năng lượng tái tạo:
   • Tích hợp trong bộ inverter và hệ thống năng lượng mặt trời.
4. Thiết bị công nghiệp:
   • Làm diode chỉnh lưu trong các hệ thống công suất trung bình.

Sơ đồ chân MBRF10200C

Kích thước MBRF10200C

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Diode Schottky tại đây

Datasheet MBRF10200C