L2N7002LT1G kí hiệu 702W Mosfet kênh N 115mA 60V SOT-23

Giới thiệu Mosfet L2N7002LT1G

L2N7002LT1G là một Mosfet kênh N hiệu suất cao, được thiết kế trong vỏ SOT-23 nhỏ gọn. Với khả năng chịu điện áp lên đến 60V và dòng điện tối đa 115mA, linh kiện này rất phù hợp cho các ứng dụng chuyển mạch và điều khiển tín hiệu công suất thấp.

Sơ đồ chân L2N7002LT1G

Thông số kỹ thuật chính L2N7002LT1G

• Loại Mosfet: Kênh N.
• Điện áp Drain-Source (VDS): 60V.
• Dòng điện Drain (ID): 115mA.
• Điện áp Gate-Source (VGS): ±20V.
• Điện trở Drain-Source (RDS(on)): 5Ω (tối đa) tại VGS = 10V.
• Công suất tản nhiệt (Ptot): 225mW.
• Điện dung đầu vào (Ciss): 20pF.
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến 150°C.
• Đóng gói: SOT-23.

Chức năng và ứng dụng L2N7002LT1G

Chức năng chính

• Chuyển mạch: Đóng/ngắt mạch nhanh chóng trong các hệ thống điện tử công suất thấp.
• Tăng cường tín hiệu: Điều khiển tín hiệu nhỏ với hiệu suất cao.
• Điều khiển dòng điện: Hỗ trợ quản lý dòng điện trong các mạch điều khiển.

Ứng dụng thực tiễn

• Bộ chuyển mạch trong các thiết bị điện tử tiêu dùng.
• Mạch điều khiển LED hoặc thiết bị phát sáng công suất nhỏ.
• Hệ thống điều khiển tín hiệu logic mức thấp.
• Các ứng dụng trong mạch nguồn DC nhỏ gọn.

Nguyên lý hoạt động L2N7002LT1G

Mosfet L2N7002LT1G hoạt động dựa trên nguyên lý điều khiển dòng điện giữa chân Drain và Source thông qua điện áp điều khiển tại chân Gate:

• Khi không có điện áp ở Gate: Mosfet ở trạng thái ngắt, không cho dòng điện chạy qua Drain và Source.
• Khi có điện áp dương tại Gate (so với Source): Kênh dẫn giữa Drain và Source được hình thành, cho phép dòng điện chạy qua.

Với cấu trúc kênh N, Mosfet này cần một mức điện áp dương tại Gate để kích hoạt trạng thái dẫn.

Ưu điểm nổi bật L2N7002LT1G

• Kích thước nhỏ: Đóng gói SOT-23 tiết kiệm không gian.
• Điện áp cao: Chịu được 60V, phù hợp với nhiều ứng dụng điện áp trung bình.
• Dòng điện thấp: Hoạt động tốt với các ứng dụng dòng nhỏ, giảm tỏa nhiệt.
• Hiệu suất cao: Điện trở RDS(on) thấp, giảm tiêu hao năng lượng.
• Độ tin cậy cao: Phù hợp với các ứng dụng yêu cầu tính ổn định lâu dài.

Lưu ý khi sử dụng L2N7002LT1G

• Điện áp Gate-Source: Không vượt quá ±20V để tránh hỏng Mosfet.
• Dòng Drain tối đa: Đảm bảo dòng không vượt quá 115mA để tránh quá nhiệt.
• Tản nhiệt: Sử dụng thiết kế PCB phù hợp để đảm bảo khả năng tản nhiệt tốt.

Kích thước L2N7002LT1G

Tổng kết

L2N7002LT1G là một Mosfet kênh N nhỏ gọn và hiệu quả, phù hợp cho các ứng dụng công suất thấp như chuyển mạch, điều khiển LED và các mạch tín hiệu logic. Với độ tin cậy cao và kích thước nhỏ, đây là một giải pháp lý tưởng cho các thiết kế yêu cầu hiệu suất cao và tối ưu hóa không gian.

Xem thêm những mã Mosfet khác tại đây

Datasheet của L2N7002LT1G