Đặc trưng kỹ thuật
- Điện trở ON nguồn-cống thấp: RDS (ON) = 0,95 Ω
- Độ dẫn truyền chuyển tiếp cao: ⎪Yfs⎪ =4,0 S
- Dòng rò rỉ thấp: IDSS = 10 μA (tối đa) (VDS = 650 V)
- Chế độ tăng cường: Vth = 2,0 đến 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Thông số kỹ thuật
Đặc tính nhiệt
Sơ đồ cấu tạo
Nguyên lý chức năng K6A65D N-MOSFET 6A 650V
MOSFET K6A65D điều khiển dòng điện giữa hai chân drain và source thông qua điện áp đặt tại chân gate. Khi điện áp ở chân gate đạt đến giá trị ngưỡng (thường khoảng 10V), MOSFET sẽ dẫn dòng và cho phép dòng điện lớn đi qua.
Ứng dụng K6A65D N-MOSFET 6A 650V
- Sử dụng trong các mạch chuyển đổi nguồn AC/DC hoặc DC/DC.
- Điều khiển động cơ và tải điện công suất.
- Dùng trong các bộ khuếch đại công suất cao.
- Ứng dụng trong các mạch công nghiệp và thiết bị gia dụng.
Kích thước K6A65D
Xem thêm: Các mã Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.