K50EF5 IGBT 50A 650V TO-247 tháo máy

Giới thiệu chung K50EF5

K50EF5 là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor – Transistor lưỡng cực có cổng cách ly). Đây là linh kiện bán dẫn công suất cao, kết hợp ưu điểm của MOSFET và BJT: điều khiển bằng điện áp như MOSFET nhưng có khả năng chịu dòng lớn như BJT. K50EF5 đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp cần hiệu suất chuyển mạch cao và độ tin cậy lớn.

Đặc điểm của K50EF5

• Là IGBT loại N, công suất lớn, có cấu trúc tích hợp giữa điều khiển điện áp và dẫn dòng mạnh.

• Điện áp chịu đựng cao lên đến 600V.

• Dòng dẫn liên tục lớn, đạt 100A (ở điều kiện làm mát tốt).

• Điện áp kích hoạt gate thấp, dễ dàng điều khiển với vi điều khiển hoặc driver công suất.

• Có tích hợp diode chống ngược (freewheeling diode), hỗ trợ trong mạch nghịch lưu.

• Mất mát khi dẫn thấp, giảm sinh nhiệt trong quá trình hoạt động.

• Thời gian chuyển mạch nhanh, giúp tăng hiệu suất và giảm tổn thất chuyển mạch.

• Đóng gói theo chuẩn công nghiệp, hỗ trợ tản nhiệt hiệu quả.

Ứng dụng của K50EF5

• Biến tần điều khiển động cơ AC trong các nhà máy sản xuất.

• Bộ nghịch lưu (inverter) trong hệ thống điện mặt trời hoặc UPS.

• Bộ sạc nhanh công suất lớn cho xe điện.

• Hệ thống hàn điện tử và máy cắt plasma.

• Thiết bị điều khiển công suất trong hệ thống điện tự động hóa công nghiệp.

• Các bộ nguồn công suất cao, yêu cầu độ ổn định và hiệu suất cao.

Thông số kỹ thuật chính của K50EF5

Sơ đồ chân và cấu tạo K50EF5

Kích thước K50EF5

Xem thêm các IBGT khác tại đây

Datasheet của K50EF5