K4S641632H-TC75 K4S641632H CMOS SDRAM 64Mb TSOP-54

Giới thiệu về K4S641632H

K4S641632H là một trong các dòng SDRAM 64Mbit của Samsung, nổi bật với khả năng hoạt động ổn định, tốc độ cao, và hiệu năng vượt trội. SDRAM này được thiết kế để phù hợp với các ứng dụng yêu cầu dung lượng bộ nhớ lớn, truy xuất dữ liệu nhanh, và độ tin cậy cao.

Đặc điểm nổi bật

Hoạt động đồng bộ

• SDRAM này hoạt động đồng bộ với xung nhịp hệ thống, đảm bảo sự chính xác và hiệu quả trong truyền dữ liệu.
• Tốc độ xung nhịp tối đa: 133 MHz, phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi băng thông lớn.

Tiêu thụ điện năng thấp

• Điện áp hoạt động: 3.3V ± 0.3V, giúp giảm thiểu mức tiêu thụ năng lượng.
• Chế độ Power Down và Self-Refresh giúp tiết kiệm năng lượng khi không hoạt động.

CAS Latency (CL)

• Hỗ trợ cấu hình CL = 2 hoặc 3, cho phép điều chỉnh thời gian đáp ứng của SDRAM để phù hợp với yêu cầu của hệ thống.

Độ tin cậy cao

• Được sản xuất bởi Samsung, một trong những nhà cung cấp SDRAM hàng đầu thế giới, đảm bảo chất lượng và độ bền cao.
• Tích hợp các cơ chế quản lý lỗi nhằm tăng độ chính xác và độ ổn định trong hoạt động.

Thông số kỹ thuật K4S641632H

Ứng dụng

Thiết bị tiêu dùng

• Tivi thông minh (Smart TV): Lưu trữ dữ liệu hình ảnh, video.
• Đầu phát DVD/Blu-ray: Hỗ trợ xử lý tín hiệu nhanh.
• Máy ảnh kỹ thuật số: Tăng hiệu suất lưu trữ và xử lý hình ảnh.

Hệ thống nhúng

• IoT (Internet of Things): Lưu trữ dữ liệu cảm biến và giao tiếp mạng.
• Hệ thống điều khiển công nghiệp: Tối ưu hóa xử lý dữ liệu trong thời gian thực.

Thiết bị di động

• Điện thoại di động: Làm bộ nhớ chính hoặc bộ nhớ đệm trong các ứng dụng xử lý tín hiệu.
• Thiết bị cầm tay: Chơi game, thiết bị định vị GPS.

Ứng dụng lưu trữ

• Ổ cứng SSD: Làm bộ nhớ đệm (cache) để cải thiện tốc độ đọc/ghi dữ liệu.

Thiết bị FPGA/MCU

• Sử dụng như bộ nhớ phụ trợ trong các ứng dụng xử lý tín hiệu số.

Sơ đồ chân K4S641632H

Kích thước K4S641632H

Xem thêm những sản phẩm IC khác tại đây

Datasheet K4S641632H