Giới thiệu K30H603
Sơ đồ chân K30H603
Thông số kỹ thuật chi tiết K30H603
- Loại linh kiện: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Dòng điện cực đại (Collector Current – Ic):
- Dòng định mức: 30A
- Dòng đỉnh trong thời gian ngắn: Có thể chịu được dòng đỉnh lên đến 60A trong một khoảng thời gian ngắn (thường vài micro giây).
- Điện áp cực đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
- Điện áp định mức: 600V
- Điện áp chịu đựng: Đây là mức điện áp tối đa mà IGBT có thể chịu đựng giữa chân Collector và Emitter mà không bị hỏng hóc.
- Điện áp bảo hòa (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
- Mức điện áp: Khoảng 1.8V đến 2.5V.
- Ý nghĩa: Điện áp bảo hòa càng thấp thì tổn thất công suất trong chế độ bật của IGBT càng thấp, giúp cải thiện hiệu suất.
- Điện áp cổng-gốc (Gate-Emitter Voltage – Vge):
- Điện áp điều khiển: Thông thường từ 15V đến 20V để đảm bảo IGBT hoạt động hiệu quả.
- Điện áp đỉnh: 20V (tối đa).
- Điện áp ngưỡng (Vge(th)): Khoảng 3V đến 5V, là mức điện áp cần thiết để kích hoạt IGBT từ trạng thái tắt sang bật.
- Công suất tổn hao (Power Dissipation – Pd):
- Công suất tổn hao: Khoảng 75W, phụ thuộc vào điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường. IGBT cần hệ thống tản nhiệt để hoạt động ổn định.
- Nhiệt độ hoạt động (Operating Temperature):
- Khoảng nhiệt độ: -55°C đến +150°C.
- Nhiệt độ mối nối tối đa: 150°C, cần duy trì trong giới hạn này để tránh hư hỏng.
Cấu trúc và thiết kế K30H603
- Kiểu vỏ (Package Type): TO-3P.
- Kích thước: TO-3P là một kiểu vỏ mạnh mẽ, thường dùng cho các linh kiện công suất lớn, với khả năng tản nhiệt tốt.
- Chân kết nối: Thường gồm 3 chân (Gate, Collector, Emitter), với bố trí giúp kết nối và gắn kết dễ dàng trong các mạch công suất.
- Hệ số nhiệt (Thermal Resistance – RθJC):
- Giữa mối nối và vỏ (Junction-to-Case): Khoảng 2°C/W.
- Ý nghĩa: Hệ số nhiệt thấp giúp tản nhiệt hiệu quả, giữ cho IGBT hoạt động trong điều kiện an toàn.
Nguyên lý hoạt động K30H603
- Khi IGBT tắt (Off State):
- Điện áp cổng thấp: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter thấp hơn điện áp ngưỡng, IGBT ở trạng thái tắt.
- Dòng điện không chảy qua Collector và Emitter: Do lớp P-N giữa Collector và Emitter bị phân cực ngược, không cho phép dòng điện chảy qua.
- Khi IGBT bật (On State):
- Điện áp cổng cao: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter vượt qua điện áp ngưỡng, IGBT chuyển sang trạng thái bật.
- Dòng điện chảy qua Collector và Emitter: Điện áp cổng kích thích sự hình thành của kênh dẫn giữa Collector và Emitter, cho phép dòng điện chảy qua với điện áp bảo hòa thấp.
Ưu điểm và ứng dụng K30H603
- Khả năng chuyển mạch nhanh: K30H60 có thể chuyển đổi nhanh chóng giữa trạng thái bật và tắt, phù hợp cho các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch cao.
- Tổn thất công suất thấp: Với điện áp bảo hòa thấp, IGBT giúp giảm tổn thất năng lượng và nhiệt tỏa ra.
- Điều khiển điện áp thấp: Điện áp cổng điều khiển thấp giúp đơn giản hóa mạch điều khiển.
Ứng dụng phổ biến
- Biến tần (Inverters): Chuyển đổi điện năng từ DC sang AC trong các hệ thống công suất cao.
- Bộ điều khiển động cơ (Motor Drives): Điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ.
- Nguồn xung (Switch Mode Power Supplies): Cung cấp điện cho các thiết bị công suất lớn.
- Hệ thống năng lượng tái tạo: Chuyển đổi năng lượng từ các nguồn tái tạo như năng lượng mặt trời hoặc gió sang lưới điện.
Kích thước K30H603
Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.