K2399 TOSHIBA Transistor TO-251

banlinhkiendientu.vn là đơn vị chuyên cung cấp Transistor K2399, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Đặc trưng K2399

• Ổ đĩa cổng 4 V
• Điện trở BẬT nguồn thoát thấp: RDS (ON) = 0,17 Ω (điển hình)
• Tỷ lệ chuyển tiếp chuyển tiếp cao : |Yfs| = 4,5 S (điển hình)
• Dòng rò thấp: IDSS = 100 μA (tối đa) (VDS = 100 V)
• Chế độ tăng cường: Vth = 0,8~2,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Mô tả K2399

• Mã đánh dấu: K2399
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 20 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 100 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 2 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 5 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 22 nC
• Thời gian tăng (tr): 17 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 190 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,23 Ohm

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Hình ảnh thực tế K2399

Sơ đồ cấu tạo K2399

Thông số kỹ thuật của Transistor K2399

Kích thước của Transistor K2399

Datasheet K2399