IXTP1R4N120P, 4N120P Mosfet Kênh-N 1200V/1.4A TO-220

banlinhkiendientu.vn là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet IXTP1R4N120P với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Mô tả

• Chỉ định loại: IXTP1R4N120P
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 86 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 1200 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4,5 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 1,4 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng điện tích cổng (Qg): 24,8 nC
• Thời gian tăng (tr): 900 nS
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 13 Ohm
• Đóng gói: TO220

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Đặc tính điện từ của Mosfet IXTP1R4N120P

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet IXTP1R4N120P

Datasheet IXTP1R4N120P