IXGH60N60C2 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do IXYS sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng công suất trung bình với khả năng chịu đựng dòng điện và điện áp khá tốt. Đây là một lựa chọn phổ biến cho các hệ thống điều khiển và biến tần đòi hỏi hiệu suất cao và độ tin cậy.
Đặc điểm IXGH60N60C2
- Khả năng chuyển mạch nhanh: IXGH60N60C2 cung cấp hiệu suất chuyển mạch nhanh và hiệu quả, giúp giảm tổn thất năng lượng và tăng hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Tản nhiệt hiệu quả: Module này được thiết kế với các tính năng tản nhiệt tốt, giúp duy trì hiệu suất ổn định và kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
- Độ tin cậy cao: IXYS nổi tiếng với chất lượng và độ tin cậy của các sản phẩm IGBT, và IXGH60N60C2 không ngoại lệ, cung cấp sự ổn định trong các ứng dụng công suất trung bình.
- Đáp ứng nhanh: Được thiết kế để đáp ứng nhanh chóng với các tín hiệu điều khiển, module này là lựa chọn tốt cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ phản hồi cao.
Ứng dụng IXGH60N60C2
- Điều khiển động cơ: Phù hợp cho các hệ thống điều khiển động cơ công suất trung bình, nơi cần hiệu suất cao và độ tin cậy.
- Bộ biến tần: Sử dụng trong các bộ biến tần để chuyển đổi hiệu quả từ DC sang AC trong các ứng dụng công suất trung bình.
- Hệ thống nguồn điện: Được áp dụng trong các hệ thống cấp điện để đảm bảo nguồn điện ổn định và hiệu quả.
- Thiết bị công nghiệp: Thích hợp cho các thiết bị công nghiệp yêu cầu công suất trung bình với hiệu suất và độ tin cậy cao.
Thông số kĩ thuật IXGH60N60C2
- Dòng điện định mức: 60A
- Điện áp định mức: 600V
- Loại: IGBT module
- Cấu hình: Module đơn lẻ, thường được tích hợp với diodes chống dòng ngược
- Đóng gói: Thiết kế dạng module với các chân kết nối cho dễ dàng tích hợp vào hệ thống
Sơ đồ chân IXGH60N60C2
Kích thước IXGH60N60C2
Xem thêm :Nhiều sản phẩm TGBT khác tại đây
Chưa có đánh giá nào.