Giới thiệu chung về IXFH52N30P:
IXFH52N30P là một MOSFET kênh N (N-channel MOSFET) công suất cao do hãng IXYS sản xuất. Đây là loại transistor bán dẫn được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng chuyển mạch điện tử công suất, có khả năng chịu điện áp cao và dòng lớn, thích hợp cho các mạch điều khiển công suất và bộ nguồn.
Đặc điểm nổi bật của IXFH52N30P:
-
MOSFET kênh N, công suất cao
-
Điện áp chịu đựng Drain-Source (V_DS) lên đến 300V
-
Dòng điện Drain (I_D) lớn, khoảng 52A
-
Điện trở On-resistance (R_DS(on)) thấp, giúp giảm tổn hao công suất khi MOSFET đóng
-
Tốc độ chuyển mạch nhanh, phù hợp cho các ứng dụng xung tần cao
-
Đóng gói kiểu TO-247, dễ dàng gắn tản nhiệt và sử dụng trong các thiết kế công suất
-
Chịu nhiệt tốt, hoạt động ổn định trong dải nhiệt độ rộng
Ứng dụng của IXFH52N30P:
-
Bộ nguồn chuyển đổi (SMPS – Switch Mode Power Supply)
-
Bộ điều khiển động cơ (Motor drivers)
-
Bộ khuếch đại công suất (Power amplifiers)
-
Mạch chuyển đổi DC-DC, DC-AC
-
Mạch điều khiển công suất trong thiết bị điện tử công nghiệp
-
Ứng dụng trong thiết kế UPS, inverter năng lượng mặt trời
-
Các mạch xung và thiết bị điện tử công suất khác
Thông số kỹ thuật chính:
Sơ đồ cấu tạo IXFH52N30P
Sơ đồ chân IXFH52N30P
Kích thước IXFH52N30P
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Datasheet IXFH52N30P
Chưa có đánh giá nào.