IXFH26N60Q MOSFET kênh N 600V 26A TO-247 tháo máy

15,000₫

Mã sản phẩm: IXFH26N60Q

Loại linh kiện: Mosfet

Dòng điện : 26A

Điện áp: 600V

Kiểu chân: TO-247

Hình thức : Tháo máy

Tình trạng : Còn hàng

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0973549046
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển.

Danh mục: Mosfet

Mô tả
Đánh giá (0)

GIỚI THỆU VỀ IXFH26N60Q

IXFH26N60Q là một transistor MOSFET kênh N thuộc dòng HiPerFET™ Q-Class của IXYS (nay là Littelfuse). Đây là một linh kiện bán dẫn công suất được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch điện áp cao và dòng điện trung bình với hiệu suất cao.

Đặc điểm chính:

Loại linh kiện: MOSFET kênh N (N-Channel Enhancement Mode)
Điện áp Drain-Source tối đa ( $V_{D SS}$ ): 600V
Dòng điện Drain liên tục ( $I_{D 25}$ ) ở 25°C: Thường là 26A hoặc 30A (tùy theo datasheet cụ thể)
Điện trở dẫn Drain-Source khi bật ( $R_{D S (o n)}$ ) tối đa: Rất thấp, thường khoảng 0.23 – 0.25 Ω tại $V_{GS} = 10 V$ và $I_{D} = 0.5 \times I_{D 25}$ , giúp giảm thiểu tổn thất dẫn điện.
Công suất tiêu tán ( $P_{D}$ ) ở 25°C: Rất cao, thường khoảng 360W hoặc 500W, cho thấy khả năng chịu nhiệt tốt.
Điện áp Gate-Source tối đa ( $V_{GS}$ ): ±20V (hoặc ±30V xung)
Điện tích cổng (Qg) điển hình: Thấp, giúp việc điều khiển dễ dàng và giảm tổn thất chuyển mạch.
Thời gian phục hồi ngược của diode nội tại (trr): Nhanh, thường khoảng 250 ns, phù hợp cho các ứng dụng có diode hoạt động.
Kiểu chân: TO-247AD (IXFH), một kiểu chân cắm với 3 chân, được thiết kế để tản nhiệt hiệu quả.
Tính năng khác: Điện áp và dòng điện Avalanche được định mức, cấu trúc cổng polysilicon bền bỉ, diode chỉnh lưu nội tại nhanh.

SƠ ĐỒ CHÂN IXFH26N60Q:

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET (Tổng Quan)

Điều khiển dòng điện giữa Drain (D) và Source (S) bằng điện áp đặt vào Gate (G).
Điện áp Gate tạo ra điện trường, hình thành hoặc triệt tiêu kênh dẫn điện trong chất bán dẫn.
MOSFET kênh N:
- Khi điện áp Gate-Source ( $V_{GS}$ ) thấp hơn điện áp ngưỡng ( $V_{t h}$ ), MOSFET ở trạng thái tắt, dòng điện $I_{D} \approx 0$ .
- Khi $V_{GS}$ cao hơn $V_{t h}$ , kênh dẫn N được tạo ra, cho phép dòng điện chạy từ Drain sang Source.
- Dòng điện $I_{D}$ tăng theo $V_{GS}$ và điện áp Drain-Source ( $V_{D S}$ ) trong các vùng hoạt động khác nhau.

THÔNG SỐ KĨ THUẬT IXFH26N60Q:

CHỨC NĂNG CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A)

Chuyển mạch (Switching) hiệu suất cao:
- Đóng/mở mạch điện nhanh chóng cho dòng điện trung bình và điện áp cao với tổn thất thấp.
- Thích hợp cho các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.
Khuếch đại (Amplification):
- Khuếch đại tín hiệu điện áp hoặc dòng điện trong các mạch khuếch đại công suất.
Điều khiển (Control):
- Điều chỉnh dòng điện hoặc điện áp bằng cách thay đổi điện áp Gate.

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

Bộ nguồn xung (SMPS).
Bộ biến tần (Inverters).
Điều khiển động cơ.
Bộ sạc pin.
Các ứng dụng chuyển mạch công suất cao.

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

Tham khảo Datasheet:
- Luôn tìm và đọc kỹ datasheet của IXYS (Littelfuse) để có thông số kỹ thuật chính xác và đầy đủ.
Cẩn thận với tĩnh điện (ESD):
- MOSFET rất nhạy cảm với tĩnh điện, cần sử dụng các biện pháp bảo vệ khi thao tác.
Điều khiển Gate:
- Sử dụng mạch điều khiển Gate phù hợp để đảm bảo tốc độ chuyển mạch tối ưu và tránh quá áp hoặc thiếu áp. Lưu ý đến điện tích cổng (Qg) thấp để thiết kế driver hiệu quả.
Tản nhiệt:
- Gắn MOSFET vào tản nhiệt phù hợp với công suất tiêu thụ và dòng điện hoạt động để tránh quá nhiệt. Kiểu chân TO-247 cần được lắp đặt cẩn thận để đảm bảo tiếp xúc nhiệt tốt.
Không vượt quá định mức:
- Tuân thủ nghiêm ngặt các thông số điện áp và dòng điện tối đa được chỉ định trong datasheet.
Điện áp điều khiển Gate:
- Sử dụng điện áp Gate nằm trong phạm vi quy định (thường khoảng 10V để đạt $R_{D S (o n)}$ thấp, và không vượt quá ±20V).
Bảo vệ mạch:
- Sử dụng các biện pháp bảo vệ quá dòng, quá áp để bảo vệ MOSFET và các linh kiện khác trong mạch.
Lưu ý về Diode nội tại:
- MOSFET này có diode nội tại giữa Drain và Source với thời gian phục hồi ngược nhanh. Cần xem xét các đặc tính của diode này nếu nó được sử dụng trong các ứng dụng như mạch cầu hoặc diode bảo vệ.
Tận dụng đặc tính Avalanche:
- Nếu ứng dụng có khả năng xảy ra quá áp thoáng qua, hãy xem xét đến khả năng chịu đựng Avalanche của MOSFET này (nếu có thông số này trong datasheet) để thiết kế mạch bảo vệ phù hợp.
Tối ưu hóa chuyển mạch:
- Thiết kế mạch để giảm thiểu tổn thất chuyển mạch, tận dụng điện tích cổng thấp và thời gian chuyển mạch nhanh của MOSFET.

KÍCH THƯỚC IXFH26N60Q:

Xem thêm các Mosfet khác tại đây

DATASHEET:

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “IXFH26N60Q MOSFET kênh N 600V 26A TO-247 tháo máy” Hủy

IXFH26N60Q MOSFET kênh N 600V 26A TO-247 tháo máy

GIỚI THỆU VỀ IXFH26N60Q

SƠ ĐỒ CHÂN IXFH26N60Q:

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET (Tổng Quan)

THÔNG SỐ KĨ THUẬT IXFH26N60Q:

CHỨC NĂNG CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A)

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

KÍCH THƯỚC IXFH26N60Q:

Xem thêm các Mosfet khác tại đây

DATASHEET:

thông tin liên hệ

hỗ trợ khách hàng

THÔNG TIN TÀI KHOẢN

IXFH26N60Q MOSFET kênh N 600V 26A TO-247 tháo máy

GIỚI THỆU VỀ IXFH26N60Q

SƠ ĐỒ CHÂN IXFH26N60Q:

NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA MOSFET (Tổng Quan)

THÔNG SỐ KĨ THUẬT IXFH26N60Q:

CHỨC NĂNG CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A)

ỨNG DỤNG THỰC TẾ CỦA IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

LƯU Ý KHI SỬ DỤNG IXFH26N60Q MOSFET KÊNH N 600V 26A (hoặc 30A) TO-247

KÍCH THƯỚC IXFH26N60Q:

Xem thêm các Mosfet khác tại đây

DATASHEET:

Sản phẩm tương tự

Đăng nhập

Đăng ký