IRF9Z24N, F9Z24N Mosfet Kênh-P 12A/55V TO-220

banlinhkiendientu.vn là đơn vị chuyên cung cấp IRF9Z24N với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Giới thiệu về IRF9Z24N

HEXFET thế hệ thứ năm từ International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị chắc chắn mà HEXFET PowerMOSFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Gói TO-220 được ưa chuộng rộng rãi cho tất cả các ứng dụng thương mại-công nghiệp ở mức tiêu tán điện năng khoảng 50 watt. Điện trở nhiệt thấp và chi phí đóng gói thấp của TO-220 góp phần vào sự chấp nhận rộng rãi của nó trong toàn ngành.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Công nghệ quy trình tiên tiến
• Xếp hạng dv/dt động
• Nhiệt độ hoạt động 175°C
• Chuyển mạch nhanh
• Kênh P
• Đầy đủ xếp hạng tuyết lở

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ cấu tạo trong

Ứng dụng

Kích thước IRF9Z24N

Xem thêm: Các mã Mosfet khác

Datasheet IRF9Z24N