banlinhkiendientu.vn là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet IRF830, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.
Giới thiệu IRF830
IRF830 là MOSFET kênh N chủ yếu được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao và tốc độ cao nhưng nó có thể được sử dụng trong bất kỳ ứng dụng mục đích chung nào.
Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn của transistor là 500V do đó nó có thể được sử dụng trong các ứng dụng điện áp cao. Dòng cực máng liên tục tối đa của transistor là 4,5A và dòng xung cực máng tối đa là 18A.
IRF830 yêu cầu công suất điều khiển cực cổng thấp do nó có thể được lấy trực tiếp từ đầu ra của IC, vi điều khiển và các nền tảng điện tử khác như arduino, raspberry pi, … Hơn nữa, transistor này cũng có thể được sử dụng như một bộ khuếch đại âm thanh.
Mô tả IRF830
- Chỉ định loại: IRF830
- Loại Transistor: MOSFET
- Loại kênh điều khiển: N -Channel
- Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 100 W
- Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 500 V
- Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
- Dòng xả tối đa |Id|: 4,5 A
- Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
- Tổng phí cổng (Qg): 22 nC
- Thời gian tăng (tr): 8 nS
- Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 120 pF
- Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds): 1,5 Ohm
- Đóng gói: TO220
Ứng dụng IRF830
- Các ứng dụng yêu cầu chuyển đổi nhanh
- Bộ sạc pin và mạch BMS
- Ứng dụng năng lượng mặt trời
- Trình điều khiển hoặc bộ điều khiển động cơ AC & DC
- Nguồn cung cấp năng lượng liên tục
Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác
Chưa có đánh giá nào.