Giới thiệu chung
IRF520N là một MOSFET kênh-N công suất cao, thuộc dòng linh kiện bán dẫn hiệu suất cao dùng để điều khiển tải điện áp và dòng lớn. Với khả năng chịu điện áp lên tới 100V và dòng dẫn liên tục 10A, IRF520N rất phù hợp cho các ứng dụng đóng/ngắt tải, điều khiển động cơ, nguồn xung và các mạch chuyển mạch công suất. Được đóng gói theo chuẩn TO-220, IRF520N dễ dàng gắn vào tản nhiệt để nâng cao hiệu quả làm việc. Sản phẩm hàng nhập khẩu thường có chất lượng linh kiện và độ tin cậy cao, được sử dụng rộng rãi trong cả lĩnh vực học tập và công nghiệp.
Đặc điểm nổi bật:
-
MOSFET kênh N loại công suất
-
Điện áp chịu đựng Drain–Source (Vds) lên đến 100V
-
Dòng dẫn liên tục tối đa (Id) đạt 10A
-
Ngưỡng điện áp Gate thấp (~2–4V), dễ điều khiển bằng vi điều khiển
-
Trở kháng dẫn thấp (Rds(on)) giúp giảm tổn hao
-
Phản ứng chuyển mạch nhanh, thích hợp cho mạch nguồn xung
Cấu tạo:
-
Loại MOSFET kênh-N sử dụng công nghệ tiên tiến (VDMOS hoặc tương đương)
-
Ba chân: Gate (G) – điều khiển; Drain (D) – cực vào tải; Source (S) – cực nối đất
-
Vật liệu bán dẫn silicon, cấu trúc chịu dòng cao và tản nhiệt tốt
-
Đóng gói TO-220 với lỗ bắt vít dễ gắn tản nhiệt ngoài
Sơ đồ chân IRF520N
Sơ đồ cấu tạo IRF520N
Ứng dụng:
-
Mạch điều khiển tải điện áp và dòng cao
-
Mạch công suất của Arduino, Raspberry Pi, ESP32,…
-
Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS)
-
Điều khiển LED công suất, điều khiển động cơ DC
-
Inverter năng lượng mặt trời, hệ thống điều khiển công nghiệp
-
Thiết bị điều khiển tốc độ quạt, mạch PWM, relay điện tử
Thông số kĩ thuật IRF520N
Kích thước IRF520N
Xem thêm các Mosfet khác tại đây
Datasheet IRF520N
Chưa có đánh giá nào.