IR2103 IC điều khiển nửa cầu DIP-8

Giới thiệu về IC IR2103

IR2103 là trình điều khiển IGBT và MOSFET công suất điện áp cao, tốc độ cao với các kênh đầu ra tham chiếu phụ thuộc vào phía cao và thấp. Công nghệ CMOS miễn nhiễm HVIC và chốt độc quyền cho phép xây dựng khối đơn khối. Đầu vào logic tương thích với đầu ra CMOS hoặc LSTTL chuẩn, logic xuống tới 3,3V. Trình điều khiển đầu ra có tầng đệm dòng xung cao được thiết kế để giảm thiểu dẫn chéo trình điều khiển. Kênh nổi có thể được sử dụng để điều khiển MOSFET công suất kênh N hoặc IGBT trong cấu hình phía cao hoạt động lên đến 600V.

Đặc trưng kỹ thuật 

• Kênh nổi được thiết kế cho hoạt động khởi động
  Hoạt động hoàn toàn ở +600V
  Chịu được điện áp xung âm
  Miễn nhiễm dV/dt
• Phạm vi cung cấp ổ cổng từ 10 đến 20V
• Khóa điện áp thấp
• Tương thích logic 3,3V, 5V và 15V
• Logic ngăn ngừa dẫn chéo
• Độ trễ lan truyền phù hợp cho cả hai kênh
• Thời gian chết được thiết lập bên trong
• Đầu ra phía cao cùng pha với đầu vào HIN
• Đầu ra phía thấp lệch pha với đầu vào LIN

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ khối

Sơ đồ chân

Sơ đồ kết nối

Kích thước IC IR2103

Xem thêm: Nhiều sản phẩm IC chuyên dụng khác

Datasheet IR2103