IC nhớ 25L4006E, 25L4006EM1I-12G SOP-8

Giới thiệu về IC MX25L4006E

MX25L4006E có giao diện ngoại vi nối tiếp và giao thức phần mềm cho phép hoạt động trên một bus 3 dây đơn giản. Bốn tín hiệu bus là đầu vào xung nhịp (SCLK), đầu vào dữ liệu nối tiếp (SI), đầu ra dữ liệu nối tiếp (SO) và chọn chip (CS#). Truy cập nối tiếp vào thiết bị được kích hoạt bằng đầu vào CS#. . Thiết bị sử dụng ô nhớ độc quyền của Macronix, có khả năng lưu trữ nội dung bộ nhớ một cách đáng tin cậy ngay cả sau 100.000 chu kỳ chương trình và xóa.

Tổng quan 25L4006E

• Giao diện ngoại vi nối tiếp tương thích — Chế độ 0 và Chế độ 3
• Cấu trúc 4.194.304 x 1 bit hoặc cấu trúc 2.097.152 x 2 bit (chế độ Đầu ra kép)
• 128 Sector bằng nhau với 4K byte mỗi sector
  – Có thể xóa riêng từng Sector
• 8 Block bằng nhau với 64K byte mỗi sector
  – Có thể xóa riêng từng Block
• Hoạt động Nguồn điện đơn
  – 2,7 đến 3,6 vôn cho các hoạt động đọc, xóa và lập trình
• Bảo vệ chốt ở mức 100mA từ -1V đến Vcc +1V

Hiệu suất làm việc của IC

• Hiệu suất cao:
  – Thời gian truy cập nhanh: xung nhịp tuần tự 86MHz
  – Xung nhịp tuần tự của chế độ Đầu ra kép: 80MHz
  – Thời gian chương trình nhanh: 1,4ms (điển hình) và 5ms (tối đa)/trang (256 byte mỗi trang)
  – Thời gian chương trình byte: 9us
  – Thời gian xóa nhanh: 60ms (điển hình)/khu vực (4K byte mỗi khu vực) ; 0,7 giây (điển hình)/khối (64K-byte cho mỗi khối)
• Tiêu thụ điện năng thấp:
  – Dòng điện đọc hoạt động thấp: 12mA (tối đa) ở 86MHz và 4mA (tối đa) ở 33MHz
  – Dòng điện lập trình hoạt động thấp: 20mA (tối đa)
  – Dòng điện xóa hoạt động thấp: 20mA (tối đa)
  – Dòng điện chờ thấp: 25uA (tối đa)
  – Chế độ tắt nguồn sâu 5uA (điển hình)
• Tối thiểu 100.000 chu kỳ xóa/lập trình
• Lưu giữ dữ liệu trong 20 năm

Sơ đồ khối

Sơ đồ chân

Kích thước IC 25L4006E

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Eeprom khác tại đây

Datasheet 25L4006E