H649A HSB649A Transistor PNP TO-126 mới

Giới thiệu về H649A (HSB649A )

H649A /HSB649A là một transistor PNP công suất nhỏ, được sử dụng phổ biến trong các mạch khuếch đại tín hiệu hoặc mạch chuyển mạch công suất thấp. Với dạng đóng gói TO-126, transistor này cung cấp khả năng tản nhiệt tốt, phù hợp với các ứng dụng yêu cầu dòng điện và công suất vừa phải.

Đặc điểm nổi bật H649A

1. Loại transistor: PNP.
2. Dòng điện cực thu tối đa (Ic): Khoảng 1.5A.
3. Điện áp cực góp – cực phát (Vceo): Lên đến 80V hoặc cao hơn.
4. Công suất tản nhiệt (Ptot): Thường khoảng 20-30W (khi sử dụng tản nhiệt).
5. Đóng gói TO-126:
   • Kích thước trung bình, giúp dễ dàng tích hợp và tản nhiệt hiệu quả hơn so với các loại nhỏ hơn như TO-92.

Thông số kỹ thuật chung H649A

• Cấu hình: PNP.
• Điện áp cực góp – cực phát (Vceo): 80V.
• Điện áp cực góp – cực gốc (Vcbo): 100V.
• Dòng điện cực thu tối đa (Ic): 1.5A.
• Công suất tản nhiệt tối đa (Ptot): 20W (khi có tản nhiệt).
• Hệ số khuếch đại dòng (hFE): Thường từ 40 đến 200 (tùy thuộc dòng Ic).
• Tần số chuyển đổi (fT): ~3MHz.

Sơ đồ chân H649A

1. Chân 1 (Emitter – E): Cực phát, thường nối đất hoặc mạch tham chiếu.
2. Chân 2 (Collector – C): Cực thu, kết nối tải hoặc nguồn điện.
3. Chân 3 (Base – B): Đầu vào điều khiển dòng điện.

Kích thước H649A

Ứng dụng H649A

1. Khuếch đại tín hiệu:
   • Sử dụng trong các mạch khuếch đại âm thanh hoặc tín hiệu tương tự.
2. Mạch chuyển mạch:
   • Điều khiển các tải nhỏ như relay, đèn LED, hoặc động cơ nhỏ.
3. Nguồn xung:
   • Được ứng dụng trong các mạch ổn áp hoặc mạch nguồn xung công suất nhỏ.
4. Mạch công suất thấp:
   • Thường xuất hiện trong các thiết bị điện tử yêu cầu dòng điện và điện áp vừa phải.

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Transistor khác tại đây

Datasheet H649A