Giới thiệu
H30R1203 là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng đòi hỏi dòng điện và điện áp lớn. Đây là một lựa chọn phổ biến trong các hệ thống điện tử công suất cao như biến tần, bộ điều khiển động cơ, và các ứng dụng năng lượng tái tạo
Đặc trưng H30R1203
- Điốt thân nguyên khối mạnh mẽ với điện áp thuận thấp
chỉ được thiết kế cho chuyển mạch mềm - Công nghệ TRENCHSTOPTM cung cấp:
-phân phối tham số rất chặt chẽ
-độ bền cao, hành vi ổn định nhiệt độ
-VCEsat thấp
-khả năng chuyển mạch song song dễ dàng do hệ số nhiệt độ dương trong VCEsat\ - EMI thấp
- Đạt tiêu chuẩn theo JESD-022 cho các ứng dụng mục tiêu
- Mạ chì không chì; tuân thủ RoHS
- Không halogen (theo IEC61249-2-21)
Thông số kĩ thuật H30R1203
Sơ đồ chân H30R1203
Kích thước H30R1203
Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây
Datasheet H30R1203
Chưa có đánh giá nào.