Giới thiệu
– Đây là dòng IGBT kênh N.
Đặc trưng
– Diode thân nguyên khối mạnh mẽ với điện áp chuyển tiếp rất thấp.
– Thân diode kẹp điện áp âm
– Công nghệ rãnh và Fieldstop cho các ứng dụng 1200 V cung cấp : độ chắc chắn cao, hoạt động ổn định nhiệt độ.
– Công nghệ NPT cung cấp khả năng chuyển đổi song song dễ dàng do hệ số nhiệt độ dương tính bằng VCE (sat)
– EMI thấp
– Đủ tiêu chuẩn theo JEDEC1 cho các ứng dụng mục tiêu.
– Mạ chì không chứa pb; Tuân thủ RoHS.
Ứng dụng
– Dùng cho ứng dụng chuyển mạch mềm.
Cấu tạo H25R1202
Kích thước H25R1202
Bảng thông số H25R1202
Ảnh thực tế H25R1202
Chưa có đánh giá nào.