H25R1202 IGBT 25A 1200V TO-3P tháo máy

Giới thiệu

H25R1202 là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế để xử lý các ứng dụng công suất cao, đặc biệt trong các hệ thống điều khiển động cơ, biến tần, và các thiết bị công nghiệp khác

Sơ đồ chân

Kích thước

Thông số kỹ thuật chi tiết

• Loại linh kiện: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Dòng điện cực đại (Collector Current – Ic):
  • Dòng định mức: 25A
  • Dòng đỉnh trong thời gian ngắn: Có thể chịu được dòng đỉnh cao hơn trong thời gian ngắn, phụ thuộc vào điều kiện hoạt động.
• Điện áp cực đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
  • Điện áp định mức: 1200V
  • Điện áp chịu đựng: Đây là mức điện áp tối đa mà IGBT có thể chịu đựng giữa chân Collector và Emitter mà không bị hỏng.
• Điện áp bảo hòa (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
  • Mức điện áp: Khoảng 2.0V đến 3.0V, tùy thuộc vào điều kiện hoạt động.
  • Ý nghĩa: Điện áp bảo hòa thấp giúp giảm tổn thất công suất trong chế độ bật của IGBT, tăng hiệu suất tổng thể.
• Điện áp cổng-gốc (Gate-Emitter Voltage – Vge):
  • Điện áp điều khiển: Thường là từ 15V đến 20V để đảm bảo IGBT hoạt động hiệu quả.
  • Điện áp đỉnh: 20V (tối đa).
  • Điện áp ngưỡng (Vge(th)): Khoảng 4V đến 6V, là mức điện áp cần thiết để kích hoạt IGBT từ trạng thái tắt sang bật.
• Công suất tổn hao (Power Dissipation – Pd):
  • Công suất tổn hao: Khoảng 125W, phụ thuộc vào điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường. IGBT cần hệ thống tản nhiệt hiệu quả để hoạt động ổn định.
• Nhiệt độ hoạt động (Operating Temperature):
  • Khoảng nhiệt độ: -55°C đến +150°C.
  • Nhiệt độ mối nối tối đa: 150°C, cần duy trì trong giới hạn này để tránh hư hỏng.

Nguyên lý hoạt động

1. Khi IGBT tắt (Off State):
   • Điện áp cổng thấp: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter thấp hơn điện áp ngưỡng, IGBT ở trạng thái tắt.
   • Dòng điện không chảy qua Collector và Emitter: Do lớp P-N giữa Collector và Emitter bị phân cực ngược, không cho phép dòng điện chảy qua.
2. Khi IGBT bật (On State):
   • Điện áp cổng cao: Khi điện áp giữa chân Gate và Emitter vượt qua điện áp ngưỡng, IGBT chuyển sang trạng thái bật.
   • Dòng điện chảy qua Collector và Emitter: Điện áp cổng kích thích sự hình thành của kênh dẫn giữa Collector và Emitter, cho phép dòng điện chảy qua với điện áp bảo hòa thấp.

Ưu điểm và ứng dụng:

• Khả năng chuyển mạch nhanh: H25R1203 có thể chuyển đổi nhanh chóng giữa trạng thái bật và tắt, phù hợp cho các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch cao.
• Tổn thất công suất thấp: Với điện áp bảo hòa thấp, IGBT giúp giảm tổn thất năng lượng và nhiệt tỏa ra.
• Điều khiển điện áp thấp: Điện áp cổng điều khiển thấp giúp đơn giản hóa mạch điều khiển.

Ứng dụng phổ biến:

• Biến tần (Inverters): Chuyển đổi điện năng từ DC sang AC trong các hệ thống công suất cao, bao gồm biến tần cho động cơ AC và hệ thống năng lượng mặt trời.
• Bộ điều khiển động cơ (Motor Drives): Điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ trong các ứng dụng công nghiệp.
• Nguồn xung (Switch Mode Power Supplies): Cung cấp điện cho các thiết bị công suất lớn.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Chuyển đổi năng lượng từ các nguồn tái tạo như năng lượng mặt trời hoặc gió sang lưới điện.

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet H25R1202