GD200HFL120C2S Module IGBT STARPOWER 200A 1200V (tháo máy)

GD200HFL120C2S là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do STARPOWER sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao với khả năng chịu đựng dòng điện và điện áp lớn. Đây là một lựa chọn hiệu quả cho các hệ thống công nghiệp yêu cầu hiệu suất cao và độ tin cậy trong các điều kiện hoạt động khắc nghiệt.

Đặc điểm GD200HFL120C2S

• Khả năng xử lý công suất cao: Với dòng điện định mức 200A và điện áp 1200V, module này có khả năng xử lý công suất lớn, phù hợp cho các ứng dụng công nghiệp yêu cầu hiệu suất cao.
• Hiệu suất chuyển mạch tốt: Cung cấp khả năng chuyển mạch nhanh và tổn thất thấp, giúp nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Tản nhiệt hiệu quả: Tấm đế kim loại giúp tản nhiệt nhanh chóng và hiệu quả, đảm bảo hoạt động ổn định và kéo dài tuổi thọ của module.
• Độ tin cậy cao: STARPOWER nổi tiếng với chất lượng và độ tin cậy của các sản phẩm IGBT, và GD200HFL120C2S cũng không ngoại lệ, cung cấp hiệu suất bền bỉ trong các ứng dụng công suất cao.

Ứng dụng GD200HFL120C2S

• Điều khiển động cơ công nghiệp: Được sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công suất cao, nơi yêu cầu độ tin cậy và hiệu suất ổn định.
• Bộ biến tần: Thích hợp cho các bộ biến tần công nghiệp và hệ thống năng lượng, hỗ trợ chuyển đổi hiệu quả từ DC sang AC.
• Hệ thống năng lượng tái tạo: Có thể được áp dụng trong các hệ thống năng lượng tái tạo như tua-bin gió và hệ thống điện mặt trời, nơi cần hiệu suất cao và độ tin cậy.
• Hệ thống cấp điện: Sử dụng trong các hệ thống cấp điện để đảm bảo nguồn điện ổn định và hiệu quả.

Thông số kĩ thuật GD200HFL120C2S

• Dòng điện định mức: 200A
• Điện áp định mức: 1200V
• Loại: IGBT module
• Cấu hình: Module nửa cầu (half-bridge)
• Đóng gói: Thiết kế module với tấm đế kim loại để tản nhiệt hiệu quả

Sơ đồ tương đương GD200HFL120C2S

Kích thước GD200HFL120C2S

Xem thêm :Nhiều sản phẩm TGBT khác tại đây

Datasheet GD200HFL120C2S