G60N100, G60N100BNTD IGBT 60A/1000V TO-3P ( Tháo máy)

G60N100BNTD là một loại transistor MOSFET n-channel được sản xuất bởi GSI Technology. Đây là một thiết bị bán dẫn có đặc điểm kỹ thuật phù hợp cho các ứng dụng công suất cao.

Thông số Kỹ thuật G60N100BNTD

1. Loại MOSFET: N-channel
2. Điện áp cực đại (Vds): 1000V (1kV)
3. Dòng cực đại (Id): 60A
4. Điện trở khi bật (Rds(on)): Khoảng 0.25Ω (tại Vgs = 10V)
5. Điện áp cổng-kênh tối thiểu để bật (Vgs(th)): 3.0V đến 5.0V
6. Công suất tỏa nhiệt tối đa (Pd): 125W (tại nhiệt độ môi trường 25°C với điều kiện làm mát tốt)
7. Nhiệt độ hoạt động (Tj): -55°C đến +150°C

Đặc điểm G60N100BNTD

• Điện áp cực đại cao: G60N100BNTD có khả năng chịu đựng điện áp cực đại lên tới 1000V, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện lớn: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 60A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
• Điện trở khi bật thấp: Với Rds(on) thấp, nó giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.
• Tản nhiệt: Với công suất tỏa nhiệt tối đa là 125W, cần phải có thiết kế tản nhiệt hiệu quả để duy trì hiệu suất ổn định.

Ứng dụng G60N100BNTD

• Nguồn điện công suất: Phù hợp cho các thiết bị yêu cầu công suất cao và điện áp lớn.
• Chuyển mạch công suất: Dùng trong các mạch chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ, và các ứng dụng công nghiệp khác.
• Ứng dụng trong các mạch điều khiển: Thích hợp cho các mạch điều khiển điện áp và dòng điện cao.